电动车助力 碳化矽市场2027年达63亿美元

市场研究顾问公司Yole Developpement的报告显示，碳化矽(SiC)元件市场规模将在2027年达到63亿美元。领导厂商选择透过垂直整合(IDM)模式供应元件，特别是功率模块，也就是从设计、制造到销售的全部流程都由同一家公司包办。

根据Electronics Weekly报导，800V电动汽车是SiC快速扩张的主要推手，随着更多800V电动车上市，预计SiC市场将快速成长。意法半导体(STM)因Tesla Model 3多年来均采用该公司的模块，在SiC市场处于领先地位。

安森美(Onsemi)在2021年跨出了重要一步，收购GT Advanced Technologies(GTAT)，现正致力扩大其SiC晶圆产能，支持其快速成长的SiC业务。

以工业应用为主的英飞凌科技(Infineon)，其主力SiC业务在2021年实现126%的成长，远高于市场平均的57%成长率，这要归功于他们赢得了800V现代汽车(Hyundai Motor)Ioniq 5的设计。

英飞凌碳化矽副总裁Peter Friedrichs博士表示，碳化矽带来的效能优势符合全球的节能趋势，在太阳能转换或电动汽车充电等新兴应用，以及传统功率半导体应用的采用率都会提高。目前整个产业正转向解决智能部署的问题，以带来长期的性价比优势。

碳化矽供应商Wolfspeed也展示了发展SiC业务的决心。该公司数年前即决定进行组织重整，将LED业务出售并扩大功率元件业务，并于日前启用全球最大的8寸晶圆厂。

罗姆半导体(Rohm)收购SiC晶圆供应商SiCrystal后，正扩大其元件和晶圆的产能以进行垂直整合。

美国光学材料和半导体制造商II-VI也展示了一款符合汽车标准的1200V碳化矽MOSFET平台，同时延长其与奇异电气(GE)的合作夥伴关系。

SiC晶圆仍是SiC元件的主要成本。System Plus Consulting表示，SiC原始晶圆的成本占1200V SiC MOSFET磊晶晶圆(epi-wafer)成本的60%以上。

6寸SiC晶圆仍会是未来5年的领先平台，被视为扩大生产规模关键步骤的8寸SiC晶圆已于2022年开始量产，将成为市场参与者的策略资源。

另一种方法是优化晶圆制程，在单个SiC晶锭中产出更多晶圆。DISCO已开发可提高产量的雷射切割系统，英飞凌的冷分流技术也获得认证。

各公司也提出不同的SiC芯片制造方法。Soitec应用其SmartCut技术生产低缺陷率的薄层SiC晶圆，和低电阻率的操作晶圆(handle wafer)。住友金属矿山计划在未来几年扩大其工程碳化矽芯片，瑞典新创公司KISAB提供基于晶圆的方法提供高品质SiC晶圆。

责任编辑：舒能翊