日本经产相在美国视察日美合作的半导体研发设施

共同社5月4日消息，日本经济产业相萩生田光一3日访问美国纽约州奥尔巴尼，视察日美企业参与的新一代半导体研究开发设施。与美国IBM和日本半导体相关企业交换意见，并表示力争推进日美合作以及加强产官学合作。

萩生田指出从经济安全保障的观点出发，新一代技术的开发也很重要，表示“作为盟国的日美将比此前更加团结一体推进举措”。

该设施由纽约州和IBM为主运营，纽约州立大学、东京电子、SCREEN控股等也参与其中。IBM以该设施为基地成功开发出制程为2纳米（1纳米为10亿分之1米）的新一代半导体，有望提升电子设备的速度和性能。