全彩化Micro LED抢搭元宇宙热潮 越级突破高分辨率挑战

錼创曾在Touch Taiwan 2021推出可应用于AR产品的全彩Micro LED显示器，ppi值达1,411，随后在SID显示周亮相，吸引各方品牌大厂跃跃欲试，甚至有潜在客户提出先出钱再开发的构想，不过当时分辨率仅有480×270，成为不足之处，终端厂要求至少要达成640×480以上分辨率。

随着Touch Taiwan 2022开展及5月SID即将登场，錼创近日完成0.49寸的全彩Micro LED显示器，亮度高达50,000 nits，并以4,536ppi成为全球最高分辨率，直接跳过640×480规格升级至1,920×1,080分辨率，采用CMOS背板设计，由蓝光Micro LED加上量子点形成全彩化显示屏幕，Micro LED晶粒达到400万颗以上，錼创表示，第2季起将陆续送交样品给客户，由于难度也跟着明显升级，短期内良率仍有待改善。

据Omdia预测，到2025年，Micro LED显示器营收将达到70亿美元。预计从2020~2025年，Micro LED显示资本支出将达到80亿美元，其中32亿美元用于后段制程，包括巨量转移、模块化，封装测试。

随着元宇宙热潮驱动下，Micro LED投入相关技术的业者也呈现百花齐放，英国剑桥大学衍生Micro LED公司Porotech于Touch Taiwan 2022发表全球第一套InGaN的RGB Micro LED显示器，尺寸为0.55寸，分辨率达1,920×1,080，亮度至少可达200万尼特，并首度来台投石问路，希望与台湾LED供应链寻求合作机会。

Porotech表示，其技术平台的优势在于不涉及对传统LED制造技术的任何改变，LED可以在矽或蓝宝石平台上制造，并利用专利的新型氮化镓(GaN)半导体材料，可大幅提高所有三种基色的亮度和效率，且简化制造流程，从而降低成本，大幅提升良率。

由于目前业界均采用GaN(如InGaN)材料来生产蓝色、绿色的微形显示器，而红光则需要混合多种材料系统，而适合AR应用的微型显示器采用Micro LED芯片尺寸仅约5~10μm，导致光效会随着显示器尺寸缩小而急剧降低，且制程复杂、成本提升，良率也难以改善，导致难以量产。

Porotech表示，目前开发出新型多孔GaN半导体材料，可生产出高效的红色InGaN基材Micro LED，让红光也能和蓝、绿光一样使用InGaN做为显示材料，不受限于任何基板，并能调整In浓度。

日前Porotech已完成A轮募资，并在剑桥设有磊晶试产线，将争取更多下游客户合作与开发，包括AR终端品牌、LED晶粒厂商以及ODM业者等，Porotech也预计将SID展会发表更新的技术突破，并看好其技术平台将推动光电业在Micro LED往元宇宙时代显示器技术商业化大幅迈进。

责任编辑：陈至娴