日本氧化镓新突破，成本降低99%！

据日媒报道，日本东北大学吉川彰教授与初创企业合作，研发新一代半导体材料-氧化镓的新制造技术，成本约为传统方法的1%。

报道称，研发团队开发出了通过直接加热原料来制造氧化镓结晶的设备，制造出了最大约5厘米的结晶。将原料装入用水冷却的铜质容器，利用频率达到此前约100倍的电磁波，使原料熔化。

传统方法是加热使用贵金属铱制造的容器，熔化其中的材料，制造结晶。要制造直径约15厘米的实用性结晶，仅容器就需要3000万～5000万日元，还存在结晶的质量不够稳定等课题。

据称由于不需要昂贵的容器等原因，利用新方法能以目前约1%的成本制造氧化镓结晶。力争在2年内制造出直径15厘米以上的结晶。

据了解，氧化镓与碳化硅、氮化镓相比，禁带宽度达到了4.9eV，高于碳化硅和氮化镓，确保了其抗辐照和抗高温能力，可以在高低温、强辐射等极端环境下保持稳定的性质；而其高击穿场强的特性则确保了制备的氧化镓器件可以在超高电压下使用，有利于提高载流子收集效率。

近日，Novell Crystal Technology与佐贺大学合作攻克了其第二代氧化镓4英寸外延片中由外延式沉积成膜过程中产生的一种特定粉末所造成的缺陷过多问题。通过改善成膜条件之后，成功制造出了第三代氧化镓4英寸外延片，缺陷降低到0.7个／c㎡，相较上一代产品，缺陷降至7%左右。