山东国镓晶谷推出6英寸氧化镓单晶

作为第四代超宽禁带半导体的关键基础材料，氧化镓具备宽禁带和超高击穿场强等物理特性，广泛应用于6G通信元器件、深紫外探测芯片、特高压功率器件、射频雷达以及航空航天特种电子元器件等领域。实现大尺寸无孪晶单晶的制备是推动相关芯片规模化量产的重要前提。

据山东国镓晶谷半导体科技有限公司官方微信公众号消息，该企业成功研发出6英寸零孪晶（001）主面氧化镓单晶。经权威第三方机构检验，这款产品的综合晶体质量已达到国际先进水平，标志着国内在氧化镓大尺寸衬底领域取得重要产业化突破。

此外，工商信息表明，国镓晶谷自2021年在山东成立以来，长期与山东大学晶体材料国家重点实验室合作开展工艺研发，并在2025年被评为国家级科技型中小企业。目前，该公司已申报多项氧化镓AI生长控制相关专利，研发业务涵盖特种功能晶体、外延片及单晶衬底三大类别。

公开资料显示，该企业之前已经实现了4英寸氧化镓单晶的稳定量产。此次推出的6英寸新产品应用了氧化镓孪晶及缺陷抑制、AI智能晶体生长批量管控两项自主研发的核心技术。通过优化后的导模法工艺进行晶体拉制，成功实现了（001）定向主面全片无孪晶成型，有效克服了大尺寸氧化镓生长时容易出现的热应力开裂和孪晶等行业痛点。第三方检测结果表明，该6英寸单晶的高分辨X射线衍射摇摆曲线半高宽实测值为64.8角秒。这一衡量衬底质量的核心参数证明了其晶格完整性极佳，内部缺陷密度控制位居全球前列。