身处资料经济时代里，企业成败关键就在于运用潜藏在数据背后的洞见与力量，内存与存储方案的领导者Micron美光科技日前在台北国际计算机展分享，如何通过创新内存和存储技术，让数据中心到智能终端的运算性能再进化，并在彻底发挥AI与5G创新应用动能后，全面加速数据洞见与智能化进程的愿景。该公司也在盛会上发布一系列全球首款基于176层NAND与1αDRAM技术的内存与存储产品，以及全球第一款支持UFS 3.1接口的车用存储方案。
在今后数据导向的新世界中，谁掌握了数据的力量，就等于掌握致胜的关键，换言之，数据分析与洞见已然成为企业获得创新动能的关键源泉。美光执行副总裁兼业务长Sumit Sadana表示：“在全新资料经济背后，AI人工智能与5G成为两大关键趋势与动能，两相结合下将打造诸多超乎想象的机会和创新。”他进一步指出，内存和存储技术、算法与深度学习应用，以及数据可得性与潜能，成为AI创新的三大动能。在5G高带宽、低延迟与多端点连接等优势的加持下，为IoT物联网与M2M机联网奠定厚实基础，造就了终端数据的爆炸性增长，并带来颠覆性的创新与价值突破。
业界首款176层PCIe Gen4 SSD系列，满足极致功耗效率存储需求
在市场打滚40多年的美光，如今最值得大书特书的新里程碑，莫过于首度在NAND和DRAM领域同时取得节点与量产的领先优势，这也成为该公司在今年台北国际计算机展上的重头戏。
首先就NAND SSD来说，随着Covid-19英国/印度变种的持续燃烧，居家学习与办公趋势大幅增长，进而带动2021年PC市场呈现日产量约为100万台的爆发型增长，其中尤以轻薄型笔记本的增长最显著。为了实现快速开机、多重显示器、多任务应用与多人线上游戏等需求，越来越多的笔记本开始只搭载M.2 SSD。对此，美光正式宣布推出全球首款采用176层NAND技术的PCIe Gen4 SSD。
“随着美光推出先进176层NAND以及QLC四层存储单元（Quad-Level Cell）NAND技术，我们可以满足消费者更高容量、更低能耗、更小尺寸与更低成本的存储需求，”美光企业副总裁暨存储业务业务部总经理Jeremy Werner表示。 “PCIe Gen4的采用预计会在今年秋季进入高潮，2021年到2023年间的出货量将增长超过6倍。
2021年到2023年间PCIe Gen4 SSD出货量将增长超过6倍。（Source：Micron）
目前美光将推出两款支持176层NAND技术的NVMe 1.4 M.2 SSD产品系列：包括性能型Micron 3400与实惠型Micron 2450。前者主打3D动画、CAD/CAM设计与游戏等高端应用，比起上一代Micron 2300产品，其读取速度高达2倍，写入速度则提升了85%，最高容量可达2TB。后者能为日常作业提供卓越使用体验，最高容量达1TB，共有三种不同尺寸可供选择，其中最小只有22×30mm，大约25美分硬币大小。
性能型Micron 3400 SSD。（Source：Micron）
三种不同尺寸的Micron 2450 SSD，最小款大约25美分硬币大小。（Source：Micron）
由于这两款产品系列具备绝佳的功耗效率，因而名列Intel现代待机合作伙伴入口平台组件清单（Modern Standby Partner Portal Platform Component List），同时符合Intel雅典娜创新计划（Project Athena）Open Lab的SSD测试要求。除此之外，也获得AMD PCIe Power Speed Policy与Windows Modern Standby验证。
美光推全球首款1α制程LPDDR4X与DDR4，并致力打造DDR5生态系统统
美光最受瞩目的成就之一，莫过于其在DRAM制程技术的不断突破，该公司早在1年前就领先业界首创1z制程，今年初更再接再厉推出内存容量提升多达40%的1α制程技术。
在此技术加持下，美光正式宣布推出两款全球首先采用1α制程的LPDDR4X与DDR4内存节点，前者适用于手机与PC客户，并已在6月份全面开始大量出货。该产品比起1z制程节点，不论在功耗（降低15%）、电池续航力、尺寸与用户体验上皆更胜一筹。后者锁定数据中心客户，目前已在许多数据中心平台进行验证，并正式大量出货。
全球首款采用1α制程的美光LPDDR4X。 （Source：Micron）
此外，比起DDR4，拥有两倍最高资料传输速率（6400 Mbps）、突发传输周期（Burst Length）、Bank Group分组架构与Bank记忆库的DDR5，已被视为今后内存的下一步创新标准，更是让AI等超高内存容量需求之应用发挥最佳性能的利器。
对此，美光总裁暨首席执行官Sanjay Mehrotra表示，2020年起该公司便开始积极推动DDR5“技术应用支持计划”（Technology Enablement Program, TEP），以便打造出能让合作伙伴加速解决方案设计、验证与上市时间的DDR5生态系统统。截至目前为止，已有来自超过100家企业、250位设计及技术领袖共襄盛举。美光资深副总裁暨运算与网络业务部总经理Raj Hazra并补充指出：“允许内存和处理器以开放形式连接的CXL直连内存（Compute Express Link）开放标准则是美光另一项关注焦点，通过该标准得以创建近端与远程内存两种阶层，这对推动未来数据中心系统级转型有极大帮助”。
美光2020年起开始积极推动DDR5 TEP计划。 （Source：Micron）
满足未来智能驾驶体验，美光推出全球首款UFS 3.1 NAND闪存
根据美光预测，到了2025年，有75%的数据会在数据中心以外的地方（包括手机、工业、网络与车用领域）产生与处理，汽车俨然成为有轮子的数据中心。正因为如此，除了前述176层NAND和1αDRAM制程上的领先业界创新外，身为车用内存领先供应商的美光，在会场上发布的另一个重点就是全球第一款UFS 3.1接口车用存储方案，包括128GB与256GB两种不同容量的96层NAND闪存皆已开始送样，预计2021年第三季度开始量产。
相较于EMMC 5.1车用内存，UFS 3.1提供5倍快的读取速度、50%快的持续写入速度，其读取速度也比UFS 2.1快两倍。美光并宣布加入高通Snapdragon汽车驾驶座舱平台（Qualcomm Snapdragon automotive Cockpit platforms），该平台将美光UFC产品作为主要搭载的存储方案，进而为未来驾驶提供更迅捷的立即启动、应用加载、平顺切换与无线更新体验。
美光推出全球第一款UFS 3.1接口车用存储方案。 （Source：Micron）
美光企业副总裁暨嵌入式业务业务部总经理Kris Baxter总结道：“无论PC、手机或车用规格，美光采取全新的心态从上游着手，确保技术能符合车内操作的需求。我们从晶体管、固件、产品开发的层级开始，确保该产品在开发阶段早期便具有全面车用的能力。”
（首图为美光总裁暨首席执行官Sanjay Mehrotra，图片来源：美光）
