突破“卡脖子”！6英寸SiC高温外延装备在季华实验室研制成功

近日，季华实验室大功率半导体研究团队自主研发的SiC高温外延装备，取得突破性进展。

据了解，SiC外延是SiC器件生产过程中的核心工艺，生产成本占器件生产过程的22%，其生产装备被欧美等发达国家垄断。

季华实验室SiC高温外延装备的成功研制将解决我国第三代半导体SiC器件生产用关键工艺装备全部依赖进口的“卡脖子”问题。该项目采用高稳定气体流场、压力场控制、感应加热、反应腔整机系统设计方案，结合自主开发的原位监控技术、在线清洗技术以及涂层材料和工艺，从而实现SiC外延的快速、高质量生长，同时提高设备运行的可靠性和稳定性。

Epi 150 SiC外延装备实物照片

Source：季华实验室

该设备核心部件全部采用国产，整机国产化率超过85%。设备实现了首次近30小时的稳定运行，本底真空度、漏率、控温精度等相关指标达到国际先进水平，升温速率、最高工艺温度等部分指标领先国际先进水平。

大功率半导体团队同时展开SiC外延工艺及产品研发、SiC长晶工艺及装备开发，SiC离子注入工艺及装备开发，以科研为基础，工程化及应用化为目标，打造覆盖核心技术的全流程链研发中心，引领粤港澳大湾区的第三代半导体装备产业美好愿景。（文：化合物半导体市场整理）

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