铠侠Fab 7已开始安装设备，预计秋季量产112层/162层3D NAND

铠侠最新宣布，该公司设在日本三重县四日市工厂的全新厂房 (Fab7)，将于 2022 年秋天展开 3D NAND 闪存的量产。

铠侠的Fab7厂房于 2021 年 2 月动工，用途是 NAND 闪存的生产，第一期工程在 2022 年 4 月完成，目前已展开生产机台的搬入作业。铠侠与合作伙伴西部数据也签下该厂房共同出资合约。

铠侠与西部数据在生产设备方面成立合资公司，双方各出资一半，四日市工厂的全新厂房是第 7 座共同投资，其他还包括日本岩手县的北上工厂。

铠侠社长早坂伸夫表示，将活用两家公司的技术合伙关系和规模经济，来开发和生产先进的半导体产品。

四日市工厂的全新厂房将投入 3D NAND 闪存的生产，除了第 5 代的 112 层堆栈技术和更先进的 162 层堆栈技术外，也计划生产新世代产品。

西部数据技术暨战略统括总裁 Siva Sivaram 博士表示，将强化研发机能来扩张生产规模，并同时导入最先进技术。