韩媒：ARM芯片设计缺陷是导致安卓手机过热的根本原因，与三星制程工艺无关

据Businesskorea报导，行业分析师表示，ARM的芯片设计导致大量安卓智能手机出现性能及发热相关问题，包括三星电子、小米和摩托罗拉等使用的三星和高通AP处理器均出现问题，业内人士认为手机性能及发热的根本原因是ARM的设计问题。

报道称，业内人士表示，目前，高通骁龙和三星Exynos的AP处理器在大部分安卓旗舰手机中使用，但这些手机在发热、性能和功耗方面都存在问题，AP处理器是基于ARM架构设计的，三星电子和台积电都证实了同样的问题，导致这些问题的原因是由于设计而不是制造。

同时，专业人士也指出，这些问题是制造工艺、AP处理器设计、外围元件和智能手机性能本身等多种因素综合作用的结果。而iPhone的AP处理器也是基于ARM架构设计的，但iPhone手机在发热和性能方面从未出现过问题。

近期也有消息称，相关行业人士表示，台积电代工也救不了骁龙8 Gen 1的高功耗，ARM设计或将背锅。消息称，高通将骁龙8 Gen 1 Plus交给台积电代工，但在现阶段的内部测试中，耗电量并未得到改善。据了解，ARM推出的全新Cortex X1/2核心，确实存在性能高、功耗也高的诟病，高通可能最终选择给处理器Cortex X2核心降频。