1.5亿大单！天岳/同光/纳微/英特磊等最新动态

加入碳化硅/氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666

行家说“一周要闻”又来了！
碳化硅方面：天岳、X-FAB公布财报；同光半导体二期工厂8月投产；利普思获数千万元A+轮融资；日本高鸟获得1.5亿碳化硅订单......氮化镓领域：英特磊宣布氮化镓量产；江西新增一氮化镓项目；纳微、意法半导体、恩智浦等均推出GaN新品。碳化硅天岳先进2021年财报：营收4.94亿元，扭亏为盈！4月1日，天岳先进发布2021年财报，报告期内公司实现营业总收入4.94亿元，同比增长16.25%；实现归属于母公司所有者的净利润8995.15万元，同比增加7.32亿元；实现归属于母公司所有者的扣除非经常性损益的净利润1297.39万元，同比减少42.82%。公司表示，报告期内公司营业利润、利润总额、归属于母公司所有者的净利润均实现扭亏为盈。同光二期碳化硅项目8月投产中新网3月29日报道称，2021年9月5日，“河北同光”年产10万片直径4-6英寸碳化硅单晶衬底项目在河北涞源县经济开发区投产，二期项目预计2022年8月份投产。高鸟：获得1.5亿碳化硅设备订单日本高鸟公司3月28日宣布，他们从海外公司获得用于功率半导体的SiC材料切割加工设备的大额订单。订单金额约为 3.3 亿日元（约1700万人民币），2月14日他们还获得了25.78亿日元（1.33亿人民币）的SiC材料切割加工设备大单。碳化硅晶圆测试需求高达10亿美元3月31日，Aehr Test Systems公布了2022 财年第三季度财务业绩。其净销售额为 1530 万美元，比 2021 财年第三季度的 530 万美元增长 190%。Canaccord Genuity预测，2030年用于电动汽车设备的6英寸等效晶圆碳化硅产能，如牵引逆变器和车载充电器，以及充电桩，预计将从2022的不到 15万片，增长 增加到超过400万片，以满足届时预计每年生产的超过3000万辆电动汽车的需求。因此Erickson认为，未来八年内，这将为晶圆级测试和老化系统及耗材至少带来 10 亿美元的市场机会。利普思半导体获数千万元A+轮融资近日，利普思半导体宣布完成数千万人民币A+轮融资，这笔资金规划将主要用于增加研发力量，并加大电动汽车市场推广的力度。利普思联合创始人、COO丁烜明表示，他们的电动重卡、氢燃料电池商用车和光伏的SiC模块已在2021年实现批量生产。位于日本的封装代工厂已于今年正式投入运营，成功拿到了国际知名汽车公司的样品及小批量订单。同时，在光伏领域，利普思已与行业头部客户达成合作，今年将会实现较大的销售额。昭和电工将改名为Resonac 4 月 1 日，昭和电工和昭和电工材料有限公司的总裁兼首席执行官高桥英仁向新员工致辞时提到，昭和电工与昭和电工材料将于2023年1月全面合并，新合并的公司将诞生。同时，新整合的公司计划采用控股公司结构，并更名为“Resonac”。新合并后的公司采用控股公司制度和新公司名称，需在2022年9月召开的临时股东大会上获得相关决议的批准。X-FAB：2021年碳化硅代工营收为2.14亿3月30日，X-FAB公布了全年业绩报告。2021年，X-FAB实现收入6.578亿美元（约41亿人民币），同比增长38%，创公司历史新高。在汽车、工业和医疗等核心市场的收入为 5.251 亿美元，比 2020 年增长 43%。增长主要受汽车和工业电气化加速推动，推动了对 X-FAB 碳化硅技术以及电动汽车所需配套应用的需求。继 2020 年的积极趋势之后，X-FAB 的 SiC 业务在 2021 年实现了 61% 的巨大收入增长。随着越来越多的客户开始量产，SiC 全年收入为 3380 万美元（2.14亿人民币），同比增长 61%。2021年新增5个客户。在市场的强劲拉动下，X-FAB正在增加更多的SiC相关设备，进一步扩展其SiC产能和能力。碳化硅晶圆测试需求高达10亿美元3月31日，Aehr Test Systems公布了2022 财年第三季度财务业绩。其净销售额为 1530 万美元，比 2021 财年第三季度的 530 万美元增长 190%。Aehr Test Systems 总裁兼首席执行官 Gayn Erickson透露：未来八年内，这将为晶圆级测试和老化系统及耗材至少带来 10 亿美元的市场机会。2022年江西省发布重点产业招商项目涉及1个碳化硅项目3月28日，江西省发展改革委发布2022年江西省重点产业招商项目，其中包括1个碳化硅半导体项目。●  6英寸半导体碳化硅电力电子器件项目氮化镓纳微半导体：宣布全球首个氮化镓功率芯片20年质保承诺3月21日，纳微半导体宣布为旗下GaNFast氮化镓技术提供具有突破性的20年期有限质保，此举将大力推动氮化镓技术进入数据中心、太阳能和电动汽车市场。纳微半导体质量及可持续发展副总裁Anthony Schiro表示：“纳微已实现超过4000万颗芯片的出货量，终端市场投入使用近1740亿小时，氮化镓相关的终端市场失效率为零，再加上58亿等效器件小时测试，纳微现已能够为GaNFast氮化镓功率芯片提供20年质保。”纳微半导体首席执行官兼联合创始人Gene Sheridan表示：“Enphase（太阳能）、Brusa（电动汽车）和Compuware（数据中心）等前沿客户已认可氮化镓在技术和环境方面都比传统硅功率芯片更具优势，他们也极为关注关键的，长期的可靠性表现。氮化镓功率芯片FIT（Failure In Time）失效率仅为硅的六分之一，凭借20年有限质保，纳微已在下一代半导体革命中居于领先。” 英特磊：氮化镓正式量产，8寸线增加设备4月1日，英特磊董事长高永中说，针对5G需求所开发的GaN产品，2022年开始正式量产并贡献营收，客户对外延(Epi)品质反应良好。目前主要的服务偏重于高掺杂GaN二次生长，应用的是与国防、高端卫星通讯、5G相关的GaN HEMT外延片。由于8寸GaN-on-Si考虑使用这种二次生长，英特磊也在加速规划增机台。山西又增一氮化镓项目近日，山西省科学技术厅公示了2021年度山西省重点研发计划（半导体与新材料领域）拟立项项目。其中，包括氮化镓基单晶半导体传感材料外延生长及传感芯片制造关键技术研究等项目。公告显示，该氮化镓项目的牵头承担单位是太原理工大学。2030 年，5G 氮化镓烧结材料将增长10倍IDTechEx最新报告称，随着 5G 的持续增长，预计未来十年 GaN 将大量使用，IDTechEx 预测到本世纪末，GaN 需求每年将增长 4 倍。GaN 器件的结温通常高于 175 °C，导致许多玩家考虑使用烧结银。IDTechEx预计到 2030 年，5G 基础设施中对烧结材料的需求将增长 10 倍。ST 推出首款准谐振 ZVS 50W GaN 设计近日，STMicroelectronics 推出了其首款使用准谐振零电压开关 (ZVS) 的 50W GaN 反激式转换器。VIPerGaN50 简化了高达 50 瓦的单开关反激式转换器的构建，并将 650V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管与内置于低成本 5mm x 6mm 封装中的电流感应和保护电路集成在一起。 TELEDYNE：100V、20 MHZ FET 和 GAN 晶体管驱动器3 月 28 日，Teledyne e2v HiRel 宣布推出新的 TD99102 UltraCMOS 高速 FET 和 GaN 晶体管驱动器，提供20 MHz的超高开关速度。新的倒装芯片部件非常适合驱动 Teledyne HiRel 在 DC-DC、AC-DC 转换器、轨道负载点 (POL) 模块和空间电机驱动器中的 100 V 高可靠性 GaN HEMT 器件。Cambridge GaN Devices： 发布 650V ICeGaN H1 系列3 月 28 日，Cambridge GaN Devices (CGD) 宣布推出了 ICeGaN 650V H1 系列，其中包括四个 650V 产品，这些产品利用了基于氮化镓的技术的功率。Cambridge GaN Devices 发布可持续发展驱动型 650V ICeGaN H1 系列650V H1 产品系列支持使用标准 MOSFET 驱动器，无需外部组件进行保护。工程师们将能够在目前使用硅基器件或其他 GaN 解决方案运行的应用中使用 CGD 的 GaN 技术，而 CGD 将进入到 2027 年估计价值超过 500 亿美元的功率半导体市场。 恩智浦推出5G氮化镓射频功率晶体管3月29日，恩智浦半导体宣布推出一系列新的射频功率解决方案，用于采用最新氮化镓 (GaN) 技术的 32T32R 有源天线系统。新系列纯 GaN 解决方案设计用于天线的平均功率为 10W，针对 320W 无线电单元，并提供高达 58% 的发射效率。它还包括驱动器和末级晶体管，并利用恩智浦在亚利桑那州的新 GaN 工厂制造的高度线性化 RF GaN 技术。Power Integrations：推出GaN 开关的PFC IC近日，Power Integrations宣布推出具有集成 750 V PowiGaN™ 氮化镓开关的 HiperPFS™-5 系列功率因数校正 (PFC) IC。新 IC 的效率高达 98.3%，无需散热器即可提供高达 240 W 的功率，并且可以实现优于 0.98 的功率因数。征稿论文征稿通知：第三届亚太碳化硅及相关材料国际会议征稿为鼓励宽禁带半导体材料生长、器件制备及封装、器件模块应用和标准化等领域理论和技术的学习与交流，会议将开展论文交流活动，欢迎国内外高校、科研院所和企事业单位的宽禁带半导体材料、器件、应用和标准化领域的专业技术人员投稿并与会交流！被录用的论文将在“Materials science forum”（EI收录），择优在“Journal of Crystal Growth”（SCI收录）、“人工晶体学报”（中文核心）期刊全文出版发表。部分优秀论文作者有机会在会场作口头报告或海报展示与讲解，更有机会获得会议优秀海报奖！征稿范围凡以宽禁带半导体为论述主体，在理论或应用实践上具有创新价值的，有科学依据和可靠数据的技术报告，阶段性成果报告，以及属于前沿技术，并对宽禁带半导体学科发展有指导意义的展望评论性论文，均可投稿，主题包括但不限于：（1）基础理论和实验（2）晶体生长和外延生长（3）在SiC上生长的新材料（石墨烯、III-N化合物和金刚石等）（4）材料表征（5）表面和界面（6）器件（功率器件，射频器件，传感器等）（7）封装、模块化和电路技术（8）应用和可靠性（9）... ...稿件要求（1）只接受英文稿件；（2）内容具体，突出创新研究成果，具有重要的学术价值或推广应用价值；（3）原创的、未发表的研究成果、技术综述、工作经验总结或技术进展报告；（4）不得涉及国家秘密；（5）论文篇幅不少于4页；（6）摘要模板请下载附件获知。投稿要求（1）摘要投稿请通过APCSCRM官网在线投稿：https://apcscrm2022.casconf.cn/（2）摘要提交截止日期：2022年5月30日（3）全文投稿请直接在杂志官网进行投稿（全文投稿通道即将开放，敬请期待）Materials Science Forum官网：https://www.scientific.net/MSFJournal of Crystal Growth官网：https://www.elsevier.com/journals/journal-of-crystal-growth（4）全文投稿截止日期：2022年8月30日（5）投稿人请随时通过投稿系统关注论文评审情况。论文费用摘要投稿免费；MSF期刊全文投稿需缴纳1500元/篇，JCG期刊全文投稿需要缴纳1800元/篇。投稿联系人刘祎晨Tel:+8610-61256850-657Email：liuyichen@iawbs.com陈鹏Tel:+8610-61256850-666Email：mishuchu@iawbs.com插播：更多全球SiC/GaN产业布局，尽在《2021第三代半导体调研白皮书》，扫码可抢先阅读！其他人都在看：




又一SiC企业将IPO！3大技术直击行业痛点国内将建6条6英寸SiC线国产黑马！量产6吋SiC单晶，多家客户将采购

###{a%5E%2Cb%5E%2Cc%5E%2Cr%5E%E5%B1%B1%E8%A5%BF%E5%A4%A9%E6%88%90%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93%2Crt%5E%E6%96%B0%E9%97%BB%2Cl%5E3%2Cu%5E%E6%A2%81%E7%87%95}@@@