铠侠1万亿日圆盖新厂 NAND产能倍增

NAND Falsh与SSD制造商铠侠(Kioxia)正式宣布，将从2022年4月起，在日本岩手县北上工厂内兴建第二座NAND厂房K2，总投资额1万亿日圆(83亿美元)，投资费用与合作夥伴威腾电子(WD)分担。预计K2投产後，NAND产能将增加为目前的2倍。

日经新闻(Nikkei)、电波新闻(Dempa)等报导，铠侠在2022年3月23日，公布这项新的NAND厂房的投资计划，以增强主力产品3D NAND Flash的产能。日媒曾多次报导铠侠要在北上工厂内兴建第二座厂房，终於由铠侠官方证实。

新厂房K2，将在既有的K1厂房的东侧兴建，2022年4月动工，预计2023年完工。K2将采用免震结构设计来降低地震影响，并引进最新的节能与再生能源设备。

此外，K2新厂房也将应用AI技术，提升生产系统的效率与品质。兴建K2的同一地点，也将建设行政大楼，纳入管理部门与技术部门。兴建新厂房将与威腾共同投资，为此，铠侠将与威腾进一步协商投资比例与其他细节。铠侠在建设费用的支出，将在现金流的范围内。

新厂房将生产的NAND Flash，铠侠与合作夥伴威腾两者的市占合计，相当於NAND最大厂三星电子的市占。这三家领导厂商，市占合计接近7成，彼此间的价格竞争激烈。三星也积极投资NAND以扩充产能。

NAND的整体需求，由於5G、数据中心、元宇宙等市场的扩张，预料将持续上升。IC Insights估计，NAND全球投资额在2021年，年增13%，达277亿美元，到2022年可能再成长8%，至299亿美元新高。

持有铠侠股份40.6%的大股东东芝(Toshiba)，在2022年2月表示，决定让铠侠IPO上市，并已要求铠侠尽快进行。

责任编辑：张兴民