罗姆新SiC元件抢攻高端EV 东芝磊晶晶圆将自制

日本的碳化矽(SiC)功率半导体制造商罗姆(Rohm)，在高端电动车款拿下新的订单，将提供新兴电动车厂Lucid Motors两款SiC装置。东芝(Toshiba)则宣布2025年度(2025/4~2026/3)将自行制造SiC磊晶晶圆，赶上罗姆等厂在SiC功率半导体的垂直整合发展。

日刊工业新闻(Nikkan)、电波新闻(Dempa)等报导，罗姆在2022年3月表示，旗下产品SiC功率MOSFET，已获得美国新兴电动车厂Lucid的第一款电动车Lucid Air采用。

Lucid Air是Lucid推出的次时代高级电动轿车，2021年10月起出货，满电续航力可达800公里以上。

罗姆供应的SiC功率MOSFET，是两款产品「SCT3040K」与「SCT3080K」，应用於Lucid Air的DC/DC电压转换汽，以及车载式电池充电器(OBC)。今後在逆变器(Inverter)等零组件中，也可能采用罗姆SiC产品。

搭载了罗姆SiC MOSFET的Lucid Air快速充电装置，充电22分钟後，可行驶300英里(482公里)。

罗姆在2010年就成功量产SiC功率装置，并购并德国SiC晶圆制造商SiCrystal，是最早发展垂直整合模式的SiC元件制造商之一。意法半导体(STM)也已开始使用一部分自制的SiC晶圆。

SiC功率元件的垂直整合趋势，日本功率元件制造商东芝，也准备加入。

东芝的半导体子公司Toshiba Electronic Devices & Storage，目前在制程中所使用的SiC磊晶晶圆，是采用昭和电工(Showa Denko)的产品。

原本东芝在日本兵库县的姬路工厂中，引进SiC磊晶晶圆，在厂内形成电路後，制成SiC功率元件。但今後要从遮和电工之外的厂商采购SiC晶圆基板，自行从日单晶薄膜行程等部分制程，制作出SiC磊晶晶圆。

东芝的目标是在2024~2025年左右，正式抢攻SiC半导体市场，因此有必要让SiC磊晶晶圆等材料的供应来源多样化。一部分晶圆自行制造，就是供应多样化的方案之一。

东芝自制SiC磊晶晶圆，将采用东芝旗下另一家企业NuFlare Technology的磊晶装置技术。半导体设备厂NuFlare Technology，曾在2019年被日本光学厂Hoya宣布收购，不过Hoya在2020年初就放弃了购并计划。

东芝如果可以顺利加强SiC功率元件的垂直整合，就能更加掌握制程，强化生产品质。在结晶的稳定度上，SiC元件目前仍比矽材料元件更需改善。

SiC功率元件除了可供应电动车产业的需求之外，还能够针对离岸风电、数据中心、铁路等成长中的市场。

责任编辑：舒能翊