层数竞赛下，今年全球闪存资本支出可望达299亿美元新高

随着NAND闪存供应商准备从今年年底到明年进入200层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。今年晚些时候，三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。而SK海力士预计将在2023年迁移到196层。

国际电子商情讯 市调机构IC Insights日前对《2022 McClean Report》的做了更新。此次更新还包含了对半导体产业的资本支出预测，以及对未来的半导体产能、DRAM、闪存、MCU、MPU和模拟芯片细分市场做了详细预测。

机构预测，2022年NAND闪存资本支出将增长8%至299亿美元，超过2018年278亿美元的历史最高记录（如下图）。闪存资本支出在2017年飙升，当时该行业正向3D NAND转型，此后每年都超过200亿美元。2022年，闪存的资本支出预计将增至299亿美元，因为大型供应商和小型供应商将保持适度激进的支出水平。

图自：IC Insights

299亿美元的支出占2022年整个集成电路行业资本支出1904亿美元的16%，仅落后于晶圆代工行业，这一部分预计将占2022年行业资本支出的41%。

新建和最近升级的NAND闪存工厂包括三星的Pyeongtaek Lines1和2（也用于DRAM和代工）；三星在西安的二期投资；铠侠在日本岩手的Fab6和FabK1，以及美光在新加坡的第三家闪存工厂。此外，SK海力士为其M15工厂的剩余空间配备了NAND闪存。

在预测期内，随着NAND闪存供应商准备从2022年底到2023年进入200层以上设备的竞争，将需要新的晶圆厂和新设备。

到2022年晚些时候，三星和美光可能是第一批开始量产的公司。两家公司以及SK海力士目前都在量产176层NAND。三星位于中国西安的晶圆厂是（并将成为）领先NAND的关键制造基地，拥有两个晶圆厂，每个晶圆厂全面投产后每月可生产120,000片晶圆。随着对企业存储应用的日益关注，SK海力士预计将在2023年迁移到196层。