韩媒：Eugene Tech已开始研发10nm 级DRAM工艺新设备

据韩媒报导，韩国半导体前端工艺设备公司 Eugene Tech 已开始为 10nm 级 DRAM 工艺开发新设备。该设备计划用于形成DRAM中电容器的电极膜。Eugene Tech从去年底开始研发TiN（氮化钛）ALD（原子层沉积）设备。

TiN是一种结合了钛和氮的材料，具有高硬度和耐腐蚀性，并具有优良的导电性，可以测量流过物体的电流程度。在半导体工业中，主要用于在电路中储存电荷的电容器（电容器），以及防止氧化膜与铜（Cu）和铝（Ti）等金属线之间混合的金属阻挡层。

Eugene Tech正在开发的TiN ALD设备是用于形成10nm级DRAM内部电容器的电极膜的设备。DRAM的单元由晶体管和电容器组成，电容器具有带电的电极膜包围不导电的绝缘膜的两端的结构。由于半导体工艺的快速小型化，DRAM的芯片尺寸逐渐减小，因此沉积电极和绝缘层更薄更均匀变得越来越重要。

满足这一点的技术是 ALD 设备。ALD是一种通过一层一层堆叠原子层来形成薄膜的方法，与传统的PVD（物理气相沉积）和CVD（化学气相沉积）相比，它可以精确地沉积更薄的薄膜。由于即使在表面层饱和后注入原材料也不再形成薄膜的“自控”特性，可靠性也很高。

正因为如此，对 ALD 技术的需求一直在快速增长，主要来自主要的半导体制造商。Jusung Engineering和Wonik IPS已经将相关设备商业化，据说Eugene Tech正在积极推动设备开发，以满足韩国国内主要存储器公司的要求。

Eugene Tech负责人表示：“我们无法透露开发设备的细节，但将通过尽可能提高设备质量来与外国公司竞争水平。”

同时，Eugene Tech 去年首次成功开发 ALD 设备，并为三星电子的 DRAM 工厂提供产品。已知该设备用于沉积氮化硅（Si3N4）材料，该材料是电容器的主要绝缘膜材料。