赶搭产业上升循环 台厂奔向千亿元存储器扩产潮

随着2021年存储器产业景气快速翻转，DRAM、NOR Flash及NAND Flash相继迎来产业荣景，2022年在需求维持高档下，上半年可望再重拾成长动能，台系厂商近年来避开与国际存储器大厂直球对决的营运策略奏效，获利表现逐年成长，在看好产业成长前景下，陆续展开大规模资本支出的长期规划。

其中，南亚科及华邦电预计各自斥资约新台币3,000亿元建置12寸厂，旺宏也将投资415亿元以扩充原12寸晶圆厂，若再加上力积电铜锣厂投入2,780亿元，台湾存储器厂合计将投入近万亿元的巨资扩产。

昔日曾在全球存储器产业占有一席之地的台厂，不敌市场供需严重失调的惊涛骇浪，多家厂商在亏损累累中陷入哀鸿遍野，过去供过於求及价格崩跌的惨痛经验仍余悸犹存，在经历绝处逢生的低潮後，近来营运转型带动获利改善，如今重启扩产大计能否另辟新局，将成为外界关注的焦点。

华邦电、南亚科扩产大计启动

受惠於三星电子(Samsung Electronics)等大厂陆续淡出DDR3利基型存储器市场，华邦电、南亚科受惠於产能供给缩减，造成市场供不应求，推动了2021年利基型DRAM价格涨势凌厉，建立小兵立大功的特殊应用需求。而NOR则受到国内晶圆代工供应紧缺，造成产能排挤效应，以及消费性电子产品、电脑、通讯以及车用市场的市场需求呈现百花齐放，挹注NOR涨价动能持续畅旺。

在利基型DRAM与NOR双重涨价带动下，台系存储器厂的手上现金充裕，且既有产能已供不应求，更提高对扩充新厂的信心度，华邦电、南亚科及旺宏的新增产能将可望於2023~2024年陆续投入营运。

华邦电高雄12寸新厂从2018年动土建厂，规划总金额将投入超过3,000亿元，原本预计2021年底可望投产，但疫情加剧、市况下滑等负面变量接踵而来，导致建厂进度延後，直到产业景气反转回温才积极追赶进度。

第一期1万片产能预计将於2022年底全面投产，导入自力开发25S纳米(相当於20纳米)DRAM制程，华邦电董事会日前进一步加码投资289.9亿元，规划二期的一万片产能将紧接於2023年第4季投产，高雄厂累计资本支出达920亿元。

尽管12寸厂新增1万片产能动辄砸下约300亿元资金，但在经过前2年扩产延迟後，华邦电决定尽快壮大产能供应，除受到客户对利基型DRAM产能预定需求急迫，更考量到各大晶圆厂的扩产动作如火如荼，机台设备商订单爆满等因素。

若采取分批小量扩产，未来新机台交货的时程势必遭到排挤，加速扩产鸣枪起跑的急迫性不仅是抢人、抢机台，更要与时间赛跑，因应下一时代20纳米制程的量产准备，不排除将酝酿持续扩产的可能。

南亚科2021年宣布斥资3,000亿元建置双层无尘室12寸DRAM厂，预计将以7年三阶段投资，规划月产能约达4.5 万片，新厂本预计2021年底动土，但扩建新厂事务繁多，建照审核时程将较预期延迟2季，可望於2022年上半正式动土。目前南亚科仍预计2024年将量产第一阶段，并导入自主研发的10纳米级第二时代，甚至也将极紫外光(EUV)微影生产技术列入长期规划。

南亚科原3A厂制程从30纳米转进20纳米，主要来自美光(Micron)技术授权，为了因应10纳米级第一时代(1A)小量生产及第二时代(1B)设备准备，2022年资本支出预计达280亿元，较2021年大增1.3倍，随着新厂动土後，後续资本支出规划将可望继续攀升。

受惠於2021年DRAM市况大好，南亚科库存几乎已在2021年第3季卖光，从第4季起恢复销售正常生产量，从厂房空间来看，现有3A厂房也几乎没有闲置空间，对应於DRAM市场位元需求每年稳定成长约15~20%，其他国际大厂供给规划也随市场需求而成长，南亚科必须在制程技术、产品技术、产能规划持续推进，才足以跟上与整体产业成长的步调，维持既有市占稳定。

锁定在特殊成熟制程的力积电，计划未来10年投资2,780亿元，於竹科铜锣园区建立月产能达10万片12寸晶圆厂，预计2023年下半试产并开始贡献营收，不过近来力积电转型拓展半导体晶圆版图为重心，存储器业务以物联网(IoT)应用为主，未来铜锣新厂投产後，对存储器供需影响仍有待观察。

两岸DRAM扩产掀起新战局

从制程节点来看，华邦电高雄厂投产的25S纳米相当於业界的20纳米，与南亚科的1A纳米或1B相差约1~2个时代，两家12寸新厂投产时间分别落在2022年底～2023年以及2024年，量产时间与制程节点的差距颇为接近，且利基型存储器也是两家的重点产品，恐导致市场竞争疑虑。不过除了制程与产品外，还需进一步从客户及应用类别来区分。

虽然DDR3需求高且价格优於DDR4，南亚科2021年DDR3占比高峰曾达50~60%，但长期策略仍认为DDR3市场逐渐缩小中，目标将持续走向DDR4，借此争取服务器市场，TV或消费性应用的市占成长，并4Gb、8Gb为主力，此外DDR5也导入试产阶段。

而华邦电则锁定小容量市场，积极供应2Gb以下产品，新厂以DDR3 2Gb、4Gb为主，其客户群以网通应用、PC等为大宗，使得华邦及南亚科的市场应用取向大相径庭。

伴随韩厂三星、SK海力士(SK Hynix)规划淡出DDR3应用市场，美光也无意继续投入，三大DRAM厂转以先进微缩制程增加位元供给，南亚科在全球市占率2~3%，华邦电市占率约1%，2022年底新厂投产後的市占率仍低於2%，对整体DRAM市场供需影响有限。在旧厂产能已经供不应求，新厂建置的挹注将可望巩固既有市占率及跟上市场成长需求。

不过国内长鑫存储势力崛起带来风雨欲来的变动，对台厂威胁与压力恐将与日俱增，据指出，长鑫存储以17纳米DRAM作为主力制程，在扶植国产化政策下，未来将全面扩大至DDR3、DDR4产品，预计2022年下半产能将扩充至6万~8万片，中长期将朝向月产能30万片迈进。

长鑫存储17纳米制程原本在2021年就要导入量产，在时程延後下，2022年第2季展开送交样品，初期良率约40%。PC供应链亦传出，长鑫近期样品测试并未通过。但业界认为，良率改善爬坡只是时间早晚问题，关键在於2023~2024年正逢华邦电及南亚科的新厂陆续投产，长鑫实力与规模恐将与台厂正面对决，导致利基存储器将首当其冲面临产能排挤效应。

存储器产业景气波动快速，虽然台厂看好终端应用前景，然国内竞争者的不确定因素，却也让此波扩产雄心将伴随着重陷供给过剩的风险，未来两岸存储器厂的竞争局势仍是诡谲难料，除了良率与成本因素外，更要关注技术专利、不同产品应用领域以及国际地缘政治等影响，将成为决定未来两岸DRAM厂竞争消长的关键。

NOR势力消长　牵一发动全身

NOR受到国际大厂势力持续淡出，旺宏与华邦电二大厂的全球市占率节节攀升，市场话语权及地位更趋稳固。旺宏近年来积极拓展车用、医疗及工业性的非PC利基市场，而华邦电则大量供应给PC、消费性电子、通讯等领域，NOR在应用多元分散下，主要供应商的各据山头，在目标及策略差异下维持版图稳定。

至於国内的成熟制程晶圆产能吃紧，供应商转往获利较高的晶圆代工生产，冲击NOR供应量吃紧。万亿易创新在产能受限下，真无线蓝牙耳机(TWS)应用就消耗了主要产能。

旺宏2021年宣布将分阶段投资415亿元，以扩充公司12寸晶圆厂的新3D NAND和先进NOR产能，预计新产能几乎是目前Fab 5a的倍增，将集中於生产更先进技术的3D NAND及NOR，5B厂可望於2022年底投产，并从2023年开始贡献业绩。而自有开发96层3D NAND也将於2022年底导入量产，目标将是在2023年推出192层3D NAND，未来将借此逐步替换现有的产品线。

虽然国际NAND大厂将陆续登上200层以上堆叠技术，但旺宏不会与国际大厂直接贴身肉搏战，规划3D NAND将以特定策略客户为主，新厂不会冲击毛利率受伤，带来供给位元以及产品价值同步增加。业界也预料，旺宏新厂投产後，既有NOR产能调度将更为充裕，有利於现有5A厂供不应求状况缓解。

至於华邦电高雄新厂虽然是以DRAM扩产为主，但未来台中厂的部分DRAM产能将转移至高雄厂後，原有NOR供给也将取得更多产能配置。尽管旺宏与华邦电在2021年下半合计市占率已取得逾55%，但产业势力消长与市场版图变化往往是牵一发动全身的连锁效应。

值得关注的是，除NOR本身产能供应可望增加外，当供应链认知到晶圆代工的成熟制程将长期处於缺货，原本采用40/55纳米应用将陆续升级改款，并逐步朝向28纳米制程移动，可能导致40/55纳米供应紧缺渐趋缓和，并驱使国内晶圆代工厂将产能转为供应NOR磊晶制造的态度更为积极，加速NOR出现产能竞争的压力。

业界预期，28纳米制程的新产能预计从2022年下半~2023年倾巢而出，一旦需求无法跟上，供过於求问题恐将全面蔓延，并扩大冲击至40/55纳米及NOR供需平衡，届时将如何避开价格战泥淖，将进一步考验各家厂商在高端大容量应用的布局及产业供应链地位。

责任编辑：朱原弘