东芝分割半导体与HDD业务为新事业体 2025年成长数据将成关键指标

东芝(Toshiba)宣布要分割出从事半导体与电子装置事业，并在功率半导体、HDD、半导体设备等方面，设定投资与成长目标。日经新闻(Nikkei)、PC Watch等报导，东芝於2022年2月8日的投资说明会中表示，将把从事半导体、HDD等事业的子公司从东芝分割出来，并预计在2023年10月後上市，前提是股东大会与政府审查通过。而能源、基础设施、电池等事业以及东芝持有的铠侠(Kioxia)的股权则留在东芝。

将分割出来的半导体与电子装置事业，包含半导体、HDD、半导体生产设备、电子零组件与材料领域等项目。其中，矽材料、氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)等功率半导体，以及数据中心用HDD，还有半导体多电子束写入设备与磊晶设备，被视为成长事业。至於光电耦合元件、模拟IC、数码半导体，以及个人消费用HDD(PC等)，还有半导体单光束写入设备，则视为基础事业。基础事业所得利益，将可投入成长事业；成长事业的技术与产能，则可用於扩大基础事业及提升效率。

将从东芝分割独立的上述半导体与电子装置事业，在2021年度(2021／4～2022／3)财测，营收将达8,600亿日圆，营益则为550亿日圆。业绩成长目标，到2025年度营收要达到1.01万亿日圆，营益800亿日圆。

以2020年度财报的应用类别来区分营收占比，PC与家电40%，云端与数据中心22%，工业与工厂自动化(FA)17%，车用领域13%，先进半导体8%。目标到2025年度，云端与数据中心、工业与FA、车用领域的占比，分别将向上提升到38%、17%、14%。

海外营收占比2020年度时是70%，2025年度目标要提高到81%。尤其在车用功率半导体营收约9成来自日本，将加强海外车辆电动化(xEV)的市场。

现在到2025年度，将设备投资2,600亿日圆，提升矽材料功率半导体产能约1.7倍，并提升Nearline HDD产能约2倍。另外投资研发费3,100亿日圆，用於扩充矽材料功率半导体的产品线，并加速SiC与GaN等化合物半导体的研发。

如果光以半导体事业来看，2021年度预估营收3,200亿日圆，目标2025年度3,700亿日圆，并将以功率MOSFET为功率半导体领域的主要成长动能。为提升功率半导体产能，在日本石川县能美市的生产子公司Kaga Toshiba Electronics的厂内，正在兴建12寸晶圆的矽材料功率半导体产线，预料将可提早半年，於2022年度下半投产，可提升功率半导体产能至2021年度的2.5倍。之後厂区内还会兴建第二条产线，预计2024年度投产。

在HDD方面，目标2023年度要推出30 TB容量的产品；到2025年度推出35 TB，2026年度要推出40 TB以上的产品。

借助微波来加速磁极变换的磁录技术MAMR持续发展中，在2021年已推出FC-MAMR技术的18TB HDD产品。2021年12月，已完成MAS-MAMR技术使HDD记忆密度提升的实验。既有HDD的产能，主要在菲律宾的工厂，将继续投资，另外也会在国内大陆设新工厂。目标2025年度HDD产能提升至2020年度的2倍左右。

此外，在半导体设备方面，多波束电子束光罩写入设备(multi-beam writer)需求扩大中，东芝在2021年度起向亚洲与北美客户出货，目标2023年度市占50%。目前东芝在单波束电子束光罩写入设备市占100%。

责任编辑：张兴民