威腾、铠侠工厂污染 估1Q全球NAND产量损失8%

威腾电子(Western Digital)与日本存储器大厂铠侠(Kioxia)近日指出，其生产NAND所需原材料遭污染情况。市调机构Omdia专家预测，这导致2022年第1季全球NAND Flash产量损失超过8%。但这对目前NAND Flash市场供过於求市况来说，似乎是因祸得福。

根据Fierce Electreonics报导，威腾与铠侠证实位於日本三重县四日市以及岩手县北上市2座存储器合资工厂，因NAND原材料遭受污染导致产能出现问题。对此，威腾及铠侠均没有透露污染的类型或来源，仅称正努力让产线尽速恢复正常运转。不过威腾透露，该公司已损失NAND Flash至少6.5EB产能。

铠侠表示，污染对四日、北上2座工厂称为BiCS FLASH的3D Flash存储器产品造成部分影响性。铠侠指出，预计传统2D NAND Flash存储器出货量不会受到影响，并将尽可能将对客户的影响性降至最低。

Omdia半导体分析师指出，上述6.5EB产能损失是只有威腾受影响的部分，铠侠产能受损规模如果没有更多的话、可能与威腾大致相同，因为铠侠与威腾在这2座存储器工厂占有绝大部分位元产出比重。

估计，威腾与铠侠合计产能损失最高可能达到14EB，这占威腾与铠侠第1季整体NAND位元产量约23~24%。对整体NAND产业而言，此一位元产量损失将导致第1季全球NAND Flash位元总产量减少8～9%。

尽管业界普遍忧心芯片供应短缺问题，但NAND市场近几个月一直处在微幅供过於求、价格下跌状态，这对特别是采用旧芯片制程节点产品的卡车和汽车等多个产品领域形成影响性。基於此，威腾、铠侠所导致第1季全球NAND整体产量减少约8%，反而对现阶段NAND Flash供过於求市况形成相对助益。

Stice表示，考量如今第1季NAND Flash产量的预期损失，NAND Flash供需可能会在第1季截止前恢复到相对平衡状态。

责任编辑：张兴民