东芯股份：NAND、NOR、DRAM多品类布局来源:半导体风向标发布时间:2022-02-10580浏览询问 AI聚焦中小容量通用型存储芯片，国内少数可以同时提供NAND、NOR、DRAM完整解决方案的公司。东芯股份打造以低功耗、高可靠性为特点的多品类存储芯片产品，公司设计研发的24nmNAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内闪存芯片的技术突破。 NAND Flash：核心技术优势明显，产品可靠性标准向车规级迈进。公司聚焦平面型SLC NAND Flash的设计与研发，主要产品采用浮栅型工艺结构，存储容量覆盖1Gb至8Gb，可灵活选择SPI或PPI类型接口，搭配3.3V/1.8V两种电压。公司的SLC NAND Flash产品被广泛应用于如5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。公司NAND Flash产品核心技术优势明显，尤其是SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。公司产品不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。 NOR Flash：下游新兴应用领域需求持续扩大，公司适时推出针对性产品推动销量增长。公司自主设计的SPI NOR Flash 存储容量覆盖2Mb至256Mb，并支持多种数据传输模式，公司的产品主要被用于存储代码程序，产品制程已达到国内领先的48nm。公司NOR系列产品的销量由2018年度的4688.05万颗增长至2020年度的9438.63万颗，增长主要源于国产替代形势下，下游新兴应用领域尤其是可穿戴设备的需求持续扩大，公司适时推出针对性的产品，应用于传音控股、麦博韦尔等优质终端客户。 DRAM：产品转向通用型、标准化，逐步实现下游应用领域向工业级的延伸拓展。公司DRAM产品经有多年技术沉淀，具有类型丰富、应用领域较宽的特点。公司研发的DDR3系列是可以传输双倍数据流的DRAM产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛；公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的LPDDR系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。公司结合市场需求变化，正逐步实现产品客制化向通用型、标准化方向的转变及下游应用领域由消费级向工业级的延伸扩展。 存储芯片产品价格存在周期性波动，公司经营业绩依赖下游市场供需情况。存储芯片作为半导体产业的“风向标”，其在单价及数量上均呈现较强的周期性变化。周期性的主要原因为存储芯片的产品通用性及市场集中度较高，为了维持存储产品的市场份额，各厂商都会选择在行业景气度上行周期扩产增收、在景气度下行周期降价清理库存，进而导致产能与下游市场需求不匹配的情况，从而导致价格波动，影响公司经营业绩。 规模效应逐步显现，产品结构优化，高附加值产品占比提升，公司盈利能力巨幅增长。公司预计2021年全年归母净利润区间2..45亿元-2.75亿元，同比增长1154%-1308%；扣非归母净利润区间2.37亿元-2.67亿元，同比增长1250%-1421%，盈利能力增幅巨大。盈利能力的巨幅增长主要受益于：公司产品市场需求旺盛，随着公司产品线的不断丰富，产品结构持续优化，高附加值产品占比提升，对完成导入期的客户销售规模逐步扩大、规模效应逐步显现，使得公司闪存芯片销售规模持续扩大，公司经营业绩同比上升，从而销售毛利率较上年同期提升。 盈利预测：我们预计公司2021-2023年营收12.0/16.0/21.0亿元，归母净利润2.5/3.2/4.0亿元，首次覆盖，给予“推荐”评级。风险提示：1）产品价格波动风险；2）产品技术研发风险；3）下游行业景气度不及预期风险。新闻来源：半导体风向标，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
