最快今年底量产！三星将推出224层3D NAND：速度提升30%

2月9日消息，根据南韩媒体《BusinessKorea》 报导，三星电子原计划在2021年末开始量产176层堆叠的NAND Flash。但是，考虑到那时的市场情况，最后决定将计划推迟到了2022 年的第一季度。不过，美国存储芯片大厂美光已经抢先开始量产176 层堆叠的NAND Flash。因此，市场人士预测，三星方面将会加快200 层堆叠以上NAND Flash量产步伐，以夺回被美光抢走的技术领先头衔。

市场人士进一步指出，三星预计将在128 层堆叠的单片NAND芯片上，再加叠96 层，以推出224 层的NAND Flash，最快可能会在今年年底前推出。而一旦产品推出，其与176 层堆叠的产品相较，224 层堆叠的NAND Flash，其生产效率和数据传输速度都将一举提高30% 的幅度。

报导还指出，当前除了三星再积极布局200层堆叠以上的NAND Flash之外，其他包括美光和韩国另一家存储大厂SK 海力士也在加速200 层以上NAND Flash的开发工作，预计将会是另一个NAND Flash的决战领域。

在3D闪存方面，三星之前一直是领先的，不过美光去年率先量产了176层堆栈的闪存，要想追赶回来，三星最快今年底能量产224层堆栈的闪存，性能还会提升30%。

三星的3D闪存V-NAND目前发展到了第七代，最高176层，原本计划在去年底量产，但因为NAND闪存价格下滑等因素，三星选择推迟量产，今年Q1季度才会正式量产，导致技术上稍微落后于美光等公司。

不过三星在下一代闪存上有望追回来，最快今年底或明年初将会推出第八代V-NAND闪存，堆栈层数首次超过200层，之前传闻是228层，现在的说法是224层，相当于在128层基础上再堆栈96层。

消息称，三星的224层闪存性能也很不错，数据速度提升了30%，同时生产效率也提高了30%。

此外，三星的224层闪存技术难度也很高，之前三星是唯一一家使用单堆栈技术实现128层闪存的公司，这次的224层则使用了双堆栈技术，技术挑战十分严峻。