NAND「三大加一」格局浮现 200层以上技术竞赛暗潮汹涌

2021年存储器市况起伏跌宕，从下半年起零组件供给不均衡影响价格疲弱的局面延续至2022年，尽管各类终端持续提高大容量的储存需求，但产能供给过剩的疑虑仍将压抑NAND Flash价格走势，影响业界普遍看跌NAND合约价在2022年上半表现疲软，下半年随着市场步入拉货旺季呈现回涨或持平，NAND产能供需也可望转趋吃紧。

随着投资金额门槛提升，2022年NAND位产出增幅将趋于保守，市场龙头三星电子（Samsung Electronics）虽然仍将掌握市场价格的话语权，但新进竞争者长江存储在研发技术站稳脚步后，对市场影响力渐增，而业界对堆叠技术追求也可望于2022年底挑战200层以上新里程碑，将牵动下一阶段NAND产业竞赛的优胜劣败。

终端装置储存容量攀升　首季跌幅将成全年最高

由于上游晶圆代工产能不足问题难解，2021年NAND面临存储器芯片不缺、控制芯片紧缺的奇特现象，导致小容量的低端产品被迫提前淡出市场。SSD等成品价格跌幅也相对缓和，2022年虽然控制芯片取得较多的晶圆产能支持，但依然延续需求超过供给的态势，带动NAND控制芯片报价2022年延续上扬走势。

根据估计，2021年NAND位需求成长约37~39%，2022年将再成长接近30%。ChinaFlashMarket预估，2020~2025年NAND将呈现30%的年成长率，而整体供应量将从2020年4,100亿GB当量，成长到2025年14,800亿GB当量，尤其数据中心可望维持39%的复合成长率，预料将成为NAND最大的市场驱动力。

从消费性SSD部分，512G产品成为PC OEM主力容量，并且逐步向1TB推进，而游戏主机SSD应用成为趋势，可望大量消耗储存容量，玩家普遍预期搭载1TB以上的大容量SSD，后续外接扩充需求也将持续成长。

NB市场2021年需求强劲，年成长达15.3%，但经过连续2年成长及疫情弱化，除商用NB相对稳健外，消费性及Chromebook动能转弱。尽管2022年NB装置出货可能面临下滑，但SSD渗透率持续提高，业界预期2022年搭载率将达9成，且第1季起OEM新机搭载PCIe Gen4 SSD需求快速成长，单一装置搭载储存容量将成长近2成，估计到2024年PC搭载率SSD将逼近100%。

手机市场2022年维持温和成长，但产品规格演进持续推动，UFS 2.1将逐渐渗透至低端机种并侵蚀eMMC产品线，迫使eMMC将大幅转向至其他消费性产品应用或部分低价的4G手机。目前高端机种以UFS 3.0/3.1为主流规格，市场比重约占20%，但2022年将开始搭载至中端机种。

多家手机品牌大厂规划进入UFS 4.0，2022年开始在旗舰机种测试水温，预计从2023年导入新机速度加快，此外，2021年搭载容量普遍从128G起跳，2022年储存容量也将朝向256/512GB靠拢。

数据中心及企业级储存，虽然在2021年下半出现短期库存升高的疑虑，延续至2022年第1季呈现中高个位数幅度下滑，但数据中心及服务器的升级需求依然庞大，包括公有云的领域也将带来巨大的成长，加上国际疫情反复变量存在，与病毒共存的现象恐将延续数年。

企业已体认到不能等到疫情完全控制才做投资，且线上需求的趋势难以回头，北美云端大厂2022年对升级与投资的成长力度抱以正面态度，将有助于2022年NAND储存需求稳健成长，NAND制程仍以128层为主，2022年下半将可望导入176层3D NAND。

2022年第1季在传统淡季持续调节库存及需求下，NAND仍处于供过于求局面，业界估计单季价格将修正10~15%，但首季将是全年跌幅最大的时间点，第2季起价格下滑将转趋收敛，单季跌价有望控制于5~10%。

群联董事长潘健成更认为，第2季起将进入供过于求，整体来看，下半年价格走势将优于上半年，在终端装置储存搭载容量提升下，第3季NAND将可望重回供需吃紧，呈现价格持平或上涨，第4季价格则要观察新制程良率的瓶颈改善进度及市场需求支撑。

NAND原厂位元供给成长缓和　产业竞争差距持续扩大

综观2021~2022年NAND位产出增幅，虽然略高于需求位的成长，但3D NAND投资门槛持续拉高，各家原厂新增投片量有限，堆叠制程转进则成为位产出增加的主因，新增产出规划以三星及长江存储的脚步较为积极。

三星西安二期第一阶段于2020年投产后，依照规划，第二阶段原定于2021年上半投入营运，并推动128层NAND作为主力制程，但受到建厂进度落后，三星近年来对NAND价格策略较为保守，第二阶段新增产能虽然未全速开出，但根据规划，未来西安二期的月产能可达13万~14万片；先前已投产的一期月产能12万片，将成为三星扩大市占及降低生产成本的关键。

至于韩国平泽P2厂NAND新产能则从2021年下半量产，并将量产最新的176层NAND产品。根据估计，三星2021年投片量约增加7.5万片，2022年主要于平泽P2厂从2.5万增加至5万片，使得整体投片产能约将成长3.5万片。

铠侠（Kioxia）原定2021年下半进行IPO计划，但担忧市场价格看跌，二度拖延原定上市时程，由于资金尚未明确，铠侠拟定的扩产计划连带递延，受到2022年NAND市场尚未复苏，IPO时程可能将延迟至下半年推动。

不过日前日本政府编列6,170亿日圆资金，铠侠K2可能将成为日本政府补助的对象，且K2厂房规模为现有K1厂的2倍，将成为铠侠与策略伙伴威腾（WD）最大规模的厂房，若能顺利取得银弹挹注，将急起直追赶上2023年启用生产的预定计划，快步追赶三星领先的市占差距。在制程规划上，铠侠预计2022~2023年投产将落在162层，200层以上计划尚未明朗。

SK海力士（SK Hynix）2021年在NAND整体投片产能维持平稳，但2021年底完成购并英特尔（Intel）NAND部门后，将进行第一阶段合并计划，新公司作为SSD研发及行销，短期内对NAND产业格局不至于带来显着变化。英特尔也预计在2023年将堆叠技术推动至196层，在2025年双方合并完毕后，未来产品重心将更专注企业级储存应用。

美光（Micron）全球NAND市占率约10~11%，排名位居第五，2021~2022年产能仅有微幅增加，但技术制程已领先三星，率先量产的176层产品陆续获得客户导入，也是首创1α制程DRAM的业者，不过美光目标并不在于提高市占率，更致力于提高在DRAM与NAND利润池（profit pool）占比。

长江存储2018年发表Xtacking技术，随着量产推动而站稳脚步，虽然2020年产能有大幅成长，但2021年128层NAND良率提升尚未达到目标，引进新机台设备的进度也落于预期，但追上良率只在于时间长短的问题。

长江存储预计单月产能10万片规模将可望于2022年上半达阵，并将启用武汉二厂，市占率将随之大幅成长，不过长江存储2022年营运重心将在于产品优化，并积极切入国内一线品牌大厂供应链，从消费性电子产品拓展至PC OEM、手机等领域。

整体来看，2022年各家NAND大厂投产虽然较为保守，但制程竞赛角力却是暗潮汹涌，虽然各家的主力制程落于96/128层，2022年产出重心将移转到176层，随着3D NAND堆叠层数提高的困难度增加，隐然形成两批纵队，技术领先厂商可望于2022年底~2023年推进200层以上，另一批则处于160~196层之间。

至于200层以上堆叠竞赛将由谁先驰得点，业界认为，将形成美光与三星技术对决的态势，虽然美光在176层3D NAND取得量产优势，但三星在176层后进入双叠代制程，未来在学习曲线改善后，将加快跨入200层以上的投产速度。由技术发展来看，3D NAND堆叠极限可发展至400层以上，但高堆叠层数品质不易控制，且制程投资金额将更为庞大。

由此可知，在技术投资门槛拉高的竞争下，NAND产业三大巨头加一的格局已隐然成型。三星、SK海力士、美光三大厂掌握获利丰厚的DRAM业务，更能因应未来新时代技术竞赛的资金支持，持续扩大产业竞争差距，至于长江存储在具备Xtacking技术专利护身，及坐拥国内内需市场的得天独厚地位，2022年市占率将有望首度站上5%，为日后产业势力消长投下变量。

责任编辑：朱原弘