DB HiTek导入矽基氮化镓 提升8寸晶圆代工生产技术

韩国晶圆代工厂DB HiTek，传预计2022年第1季起，导入硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术于半导体生产，并且打算凭藉这项技术，因应快速成长的通讯装置、电动车充电器及太阳能转换器等市场需求。

ET News引述业界消息，指DB HiTek将开始运用硅基氮化镓技术于8寸晶圆厂生产。先前业界已传出消息，DB HiTek规划研发车用半导体相关制程技术，有意进军车用领域，传正开发碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等新一代功率半导体制程技术，并且已向韩国政府提出辅导申请。

氮化镓是新一代半导体材料，可望提升与改善通讯装置、电动车快速充电器及太阳能转换器等的电源效率。DB HiTek主力事业为8寸晶圆代工，看准未来市场需求，决定将硅基氮化镓沉积技术导入生产，预期采用硅基氮化镓技术，也有利于提升公司制造竞争力及收益表现。放眼晶圆代工业界，台积电最早采用硅基氮化镓技术于6寸晶圆。

DB HiTek正以2022年第1季为目标，开发6~8寸晶圆的SiC功率半导体，同时也将推动氮化镓功率半导体相关事业。分析多认为，全球半导体供需吃紧，导致8寸晶圆代工价格上涨，身为全球第十大晶圆代工业者的DB HiTek因此受惠。

相关人士表示，DB HiTek鉴于新一代材料半导体，深具市场成长潜力，位于韩国忠清北道的工厂也将火力全开，2022年不排除将进行追加投资，因应市场需求变化。另一方面，随着车用半导体持续短缺，8寸晶圆市场需求看好，2021年DB HiTek年营收，料将超过1万亿韩元（约8.5亿美元），2022年营收展望则上看1.5万亿韩元。

责任编辑：张兴民