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来源:第三代半导体风向发布时间:2022-01-071717浏览
询问 AI目前，在GaN器件代工领域，台积电处于领先地位，其主要客户包括意法半导体、纳微半导体和GaN System等领先的氮化镓企业。
台积电的挑战者在哪里？最近，韩国非常活跃，正在建第二个氮化镓代工厂。而且目前台积电的氮化镓代工平台主要是6英寸生产线，韩国新建的代工厂都采用了8寸线。
与此同时，据“三代半风向”了解，韩国还新增了2个氮化镓外延平台，同时韩国的氮化镓器件厂商开始在5G、国防和电源领域发力。
新建2个8寸GaN工厂
1月4日，据韩媒报道，韩国代工厂东部高科（DB HiTek）正计划建8英寸线生产硅基Gan半导体。
DB HiTek公司高管表示，由于氮化镓生产线的设备交付期至少是1年，为此他们的GaN和SiC生产线最早将于2023年建成。目前，该公司已经确认要开始研发SiC和GaN芯片，且韩国政府已于2021年9月赞助了这个项目。这是韩国正式宣布的第二个8英寸氮化镓工厂，“三代半风向”此前报道提到，2021年10月，韩国ETRI和AOET两家公司达成合作，双方将建立GaN芯片制造等项目（.点这里.）。据介绍，该项目的目标是开发基于3C-SiC的氮化镓的功率和射频器件。该项目一旦成功，预计将建成自动化的8英寸氮化镓器件生产线，其生产设备投资额只有传统硅衬底生产设备的1/10。
建6寸、8寸氮化镓外延厂
此外，韩国已经建成了6英寸和8英寸的氮化镓外延平台。
IVWorks成立于2011 年，是韩国第一家实现8英寸硅基GaN外延片和6英寸碳化硅基GaN外延片的工厂。据了解，IVWorks的8英寸的硅基GaN外延片，采用Si(110)衬底来代替现有的Si(111)衬底，能够将GaN晶体管和驱动电路进行集成，其电子迁移率为2500 cm²/VS，薄层电阻为360 ohm/sq，薄层电阻均匀性为5%，厚度均匀度为2%，击穿电压为600V。将建2条氮化镓器件线发力国防、5G和电源市场韩国企业很看好氮化镓器件市场需求，接下来还会有多家企业新增氮化镓器件生产线。
据了解，RFHIC是韩国唯一一家生产GaN晶体管和无线功率放大器的公司，其主要客户包括三星电子等通信设备和雷达相关国防企业。2022年，三星电子将会扩大北美5G通信设备市场份额，同时由于美国的基础设施法案已经通过，Verizon、AT&T等美国电信公司也有望加大5G通信投资力度。此外，欧洲也开始认真建设5G基础设施，因此2022年电信设备行业前景看好。RFHIC将从中受益，为此，他们计划于2023年自己直接生产GaN晶圆。与此同时，还有多家韩国企业也在涉足氮化镓领域：▲2021年9月，SK集团子公司SKC考虑与应用材料公司组建合资企业，进入GaN功率半导体市场。据悉，到2025年，该合资公司有望帮助SKC将年销售额提高到96.85亿人民币（.点这里.）。▲2021年5月，韩国确定了一项国家计划“X波段GaN半导体集成电路”，以帮助韩国战斗机(KF-X)开发雷达核心配件，三星、RFHIC、SK Siltron等众多企业参与了该计划。▲2021年3月，Sigitronics公司宣布推出GaN射频器件，该器件具备200W的高输出功率和DC~6GHz 的工作频率，据介绍，该器件的制造工艺稳定，良率可提高到70％以上。Sigitronics于2008年成立，2018年投资3100万人民币建设了6英寸硅生产线。Sigitronics公司CEO Shim Gyu-hwan表示，他们将完成6 GHz频段（RF功率10~200W）的 GaN RF产品阵容，未来会将产品阵容扩展到包括5G（28GHz）、卫星通信（35 GHz）、军用雷达（64 GHz）和自动驾驶汽车（77 GHz）。Shim Gyu-hwan还表示，他们计划准备新建一条生产线，于2022年开始生产和销售GaN RF器件。新闻来源：第三代半导体风向，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。
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2026-07-05