imec成功将肖特基二极管和耗尽模式HEMT集成到GaN芯片中
来源:摩尔芯闻发布时间:2022-01-07933浏览
询问 AI比利时imec宣布，成功地在基于p-GaN HEMT的200V GaN-on-SOI电源IC平台上集成了高性能肖特基阻隔二极管和耗尽模式HEMT，该平台位于200mm硅基板上。
目前的GaN功率电子器件由产生开关信号的外部驱动器IC驱动的分立元件主导，但为了充分利用高速开关速度，需要GaN功率器件和驱动器功能的单片集成。Imec 解释说，这使我们能够向 GaN IC 添加多个组件，从而扩展 GaN IC 在芯片设计方面的功能，为更小、更高效的 DC/DC 转换器和负载点转换器铺平道路。
Imec GaN 电源系统开发总监 Stefaan Decoutere 说："通过将 e 模式（增强模式）与 d 模式（耗尽模式）的 HEMT 相结合，我们能够提高 GaN IC 的性能。通过使用集成的 d 模式 HEMT 扩展 SOI 上的功能电子模式 HEMT 平台，可以直接从 RTL 向耦合 FET 逻辑迈出一步，从而实现速度提高和低功耗。
图：在 200mm GaN-on-SOI 基板上生产的高压组件的横截面视图。（a） 电子模式 MIS-HEMT，（b） d 模式 MIS-HEMT，（c） 肖特基阻隔二极管。所有器件均包括基于由介电层分离的前端和互连金属层的金属场板（来源：imec）
此外，GaN 功率 IC 的另一个重要组件是肖特基势垒二极管，与 Si 产品相比，它结合了更高的阻塞电压和开关损耗降低。
200V GAN on-SOI 电子模式 HEMT GaN IC 平台通过集成在整体上的高性能肖特基势垒二极管和 d 模式 HEMT 进行了扩展。因此，可以推进基于 GaN 的智能电源 IC 的实现。下一步是开发此平台的 650V 版本。GaN-on-SOI 技术的目标应用包括高压电源开关和电源转换、手机、平板电脑、笔记本电脑的高速充电器、电动汽车的汽车充电器以及用于将太阳能电池板连接到电网的逆变器。
新闻来源：摩尔芯闻，文中所述为作者独立观点，不代表icspec立场。更多精彩资讯请下载icspec App。如对本稿件有异议，请联系微信客服specltkj。