三星使用其环栅晶体管架构3nm芯片流片成功！

去年1月份的时候，三星就宣布生产出世界上第一个3nm GAAFET晶体管芯片的工艺原型，当时表示将在2021年实现批量生产。

而在今年3月份的时候，三星发布了这一颗3nm的芯片，采用GAAFET晶体管技术，但在当时大家还是称三星的3nm芯片，其实还是PPT造芯。

而近日，三星终于对外表示，使用其环栅 （GAA） 晶体管架构的3nm芯片流片成功，接下来真正进入量产阶段了，不再是PPT，而是实实在在的芯片技术了。

事实上，关于3nm芯片战，早就打响了，在三星3月份秀出3nm芯片后不久，IBM就搞了一个大新闻，搞了一颗2nm工艺的芯片原型出来，与三星的3nm芯片一样，采用的是GAAFET晶体管技术。

后来台积电又搞 了一个大新闻，台积电与台大、美国麻省理工学院合作研究，发现了用二维材料结合「半金属铋（Bi）」能达极低电阻，接近量子极限，有助于实现半导体1nm以下制程挑战。

为何三星这么在意3nm技术？原因在于目前有5nm技术的厂商就两家，分别是台积电和三星。而随着芯片工艺进入5nm后，再提升工艺是越来越难了，所以接下来谁能够在3nm工艺上依靠，也就意味着非常有可能在制造上领先，从而成为领军者。

再加上台积电的3nm还是采用FinFET晶体管，这是比较老迈的技术，早就要淘汰了，三星采用更先进的GAAFET晶体管。

与台积电3nm工艺的FinFET晶体管技术相比，GAA架构改进了静电特性，降低了电压，从而提高了性能并降低了功耗，并带来了基于纳米片宽度控制的额外矢量的新优化机会的额外好处。

一旦三星能够比台积电更提前量产3nm芯片，那么三星非常有可能挑战台积电的地位，接到更多的订单，从而把台积电打压下去。

而按照媒体的报道，这次流片是由Synopsys和三星代工厂合作完成的，旨在加速为GAA流程提供高度优化的参考方法，同时还能够提供一整套的EDA工具，接下来就让我们关注三星3nm芯片的进展了。