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来源:第三代半导体风向发布时间:2021-12-131561浏览
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12月12日,英唐智控公告称,将投资5亿元建设半导体产业园,未来还将投资超过18亿元,建设6英寸碳化硅工艺线,年产能72万片。
公告显示,英唐智控与中唐发展、英盟科技签署了合作协议,并计划通过合资设立项目公司“四川英唐芯科技有限公司(暂定名)”,在成都建设“英唐半导体产业园”项目。该项目公司计划对外投资3个项目:1. 计划投资约18.1亿元建设年产72万片的FAB 6英寸特色(含SiC)工艺线,预计2023年10月建成投产,2025年1月实现达产;2. 投资约2.2亿元建设年产1.2-1.8亿颗的光学封测生产线及年产150-200万颗的IPM封测生产线,预计2022年10月建成投产,2024年9月实现达产;3. 建设年产能20亿颗的先进封测生产线,待第一、第二部分项目建成投产后视情况再行约定。据悉,该项目公司注册资本暂定为5亿元,其中英唐智控子公司上海芯石半导体,以股权及货币方式合计出资1.25亿元,拟持有该项目公司25%的股权。
据“三代半风向”此前报道,英唐智控在今年1月以1.68亿元收购了上海芯石40%股权,后者开发了600V、1200V、1700V、3300V的SiC SBD产品,并已经实现了部分SiC型号产品的小批量量产。
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