IBM与三星合作开发VTFET芯片技术：性能可提升200%

根据外媒报导，在美国加州旧金山举办的IEDM 2021 当中，IBM与三星共同推出了名为垂直传输场效应晶体管(VTFET) 技术。该技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式进行流通，如此可使得晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在1nm制程设计上所面临的瓶颈。

报导强调，相较传统将晶体管以水平方式放置的设计，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并且让运算速度提升两倍，同时藉由让电流以垂直方式流通，使得电力损耗在相同的性能发挥情况下，降低85%的幅度。

IBM 和三星指出，该制程技术将能在未来达到手机在一次充电的情况下，待机续航力达到一整个星期的水准。另外，这也可以使某些耗能密集型的工作，例如加密工作能更加省电，进一步减少对环境的影响。

不过，目前IBM 与三星尚未透露预计何时开始将垂直传输场效应晶体管设计应用在实际产品。但是市场人士预估，将在很短的时间内会有进一步消息。

相对于IBM 与三星的技术成果发表，晶圆代工龙头台积电也已经在2021 年5 月宣布，与台湾大学、麻省理工学院共同完成研究，藉由铋金属的特性来突破1nm制程生产的极限，让制程技术下探至1nm以下。

另外，英特尔日前也已经公布其未来制程技术发展布局，除了现有纳米等级制程节点设计之外，接下来也会开始布局埃米等级制程技术发展，预计最快会在2024 年进入20A 制程技术节点。