下一代硬盘技术取得突破

富士通使用阳极化铝批量生成纳米洞，每个纳米洞都装载了磁性物质用来存储1个位(Bit)的数据。而这些规则分布的纳米洞周围的氧化铝可以很好地固定洞内磁性物质，避免它与其他纳米洞中的磁性物质互相影响―这种磁性干扰将会导致数据存储故障。

2005年，富士通开始对纳米洞技术进行研究。今年1月，富士通公司就已经向外界公开宣称它们已经找到可以实现每平方英寸存储1TB数据的方法。不过在当时，富士通并没有提供任何实际样品来证实上述消息。

每英寸存储1TB数据对于存储材料提出了非常高的要求：纳米洞的直径不能超过13nm。而目前富士通已经将纳米洞的直径做到25nm，离最终目标越来越近。不过需要指出的是，富士通此次使用样品材料制作出的2.5英寸硬盘所实现的纳米洞直径为100nm，可见实际制作工艺与实验室数据还存在不小的技术差距。

富士通还表示，该公司首次实现了纳米洞的理想排列顺序，这将可以大大提高最终成品的工作效率。

纳米洞技术并不是富士通公司首先提出的，早在2001年佳能就已经开始着手研究这项技术。当时佳能公司表示2007或2008年，将有相关产品问世。遗憾的是，至今还没有看到该公司发布任何具体产品或者相关进展。

据悉，富士通公司此次取得的进展已经发表在美国学术期刊《应用物理通讯》7月号上。该公司也向媒体表示，相关产品可能会在2010年正式推出。