东芝低尖峰型MOSFET，降低EMI的好帮手

做电源设计的工程师朋友都知道，MOSFET由于其快速开关，导通电压低等特性，在电源设计中应用的非常广泛。但是使用MOSFET时易出现的尖峰电压会增加EMI（电磁干扰）的问题，这是让万千工程师们比较头痛的一件事。如果电磁干扰非常严重的话，会导致产品的故障率直线上升，造成不可估量的损失。那么如何降低MOSFET的尖峰电压呢？

东芝为了解决MOSFET引起尖峰电压的问题，采用最新一代（数据截止于2021年1月）MOSFET制造工艺U-MOSIX-H，推出了一款低尖峰型MOSFET——TPHR7404PU。

TPHR7404PU具有以下特点：

采用最新一代U-MOSIX-H制造工艺，具有低尖峰电压特性，在降低电源EMI方面极具优势；卓越的低导通电阻（数据截止于2021年1月，与具有相同最大额定值的产品相比），RDS(ON)＝0.74mΩ（最大值）@VGS＝10V；低栅极驱动电压，最低以6V就可以驱动其正常工作；采用SOP Advance封装，为小型化产品做足准备。

具体参数如下：

（除非另有规定，@Ta＝25℃）

TPHR7404PU采用东芝第9代U-MOSIX-H结构，是具有低压沟槽结构的新型低尖峰电压型MOSFET。第9代U-MOSIX-H系列可以提供一系列低尖峰型和高效型产品，其主要应用于各种电源（AC-DC和DC-DC电源）电路设计方案，同时也可以应用于电机控制设备或者是电机驱动等产品之中。

U-MOSIX-H主要优势有以下两点，第一，其导通电阻非常低，有助于降低电源的导通损耗，提高电源效率；第二，利用U-MOSIX-H工艺制造出的MOSFET能够抑制开关操作中漏极和源极之间所产生的尖峰电压，所以，非常适用于要求低EMI的开关电源二次同步整流，或者是重视EMI方面，需要降低EMI的各种电机驱动等产品。

TPHR7404PU由于其特殊的U-MOSIX-H结构，以及卓越的低导通电阻优势，所以可以被应用于各种电源（高效AC-DC转换器、高效DC-DC转换器等）电机控制设备（电机驱动等）。

作为一家在半导体MOSFET应用方面深耕多年的全球科技型企业，东芝半导体凭借着对电子市场敏锐的洞察能力和不断地创新的研发精神，持续向业界输出高性能的MOSFET产品，这对于有降低EMI需求的电源与电机控制等设备的选型和参考都极具价值。