三星全新SSD不采用3D V-NAND 工艺先进还是性能倒退？

　　在2015年末，三星就传出有新款750 EVO系列SSD的出现。而这款三星750 EVO的定位可能前所未有的低。现在已有的入门级850 EVO采用的是3D V-NAND颗粒，但全新750 EVO在闪存颗粒方面更是回归平面闪存，并不采用3D V-NAND。

　　三星的3D V-NAND堆叠技术，是让三星的850 EVO突破2TB容量的关键，而这次的750 EVO上并没有得到应用，转而使用平面结构的16nm TLC NAND，这也是首次三星采用16nm TLC产品，早前的840 EVO是19nm TLC。

　　三星官网已经上架了750 EVO的相关资料，采用主控是三星的MGX，工作功耗有所降低。120GB的写入量为35TB，250GB则为70TB，售后服务也从850 EVO的5年质保变成了3年。

　　SATA SSD在2014年就基本达到了性能巅峰，现在竞争对象是更大容量和更高的性价比，所以才孕生出TLC SSD。东芝、三星、美光无一例外得投入到更低制程的TLC研发，相信今年SSD价格将会再创新低。