武汉存储芯片基地动工 主攻NAND闪存及DRAM内存

　　位于武汉的国家存储器基地已经在28日破土动工，该项目由武汉新芯科技（XMC）公司主导，预计投资240亿美元，背后则是国家大基金及武汉市政府基金支持，意图在武汉打造全国最大、最先进的存储芯片基地。该项目动工之后，我们才发现他们的目标远不止于此，跟紫光豪言世界前三类似，武汉存储器基地的最终产能也不是之前说的20万片，而是100万片，他们要做行业龙头企业，同时主攻NAND闪存及DRAM内存两大行业。　　

　　武汉存储器产业基地背后的出资人有国家队的大基金，也有地方队的湖北省集成电路产业投资基金、国开发展基金及湖北科技投资集团，预计5年内投入240亿美元，2018年建成投产。至于产能，当初提到的是每月20万片晶圆，这个产能已经很强大了，不过后期还会继续增加，2020年预计产能可达30万片晶圆每月，到了2030年则会提升到100万片每月。

　　国际通行的半导体产能衡量指标是统一到8英寸晶圆产能上，根据2015年统计的数据，全球产能最大的半导体公司是三星，总产能是每月253.4万片，第二名是TSMC，每月产能为189.1万片，第三名是美光，每月产能160万片晶圆，第四、第五分别是东芝/闪迪、SK Hynix，产能134.4万片、131.6万片，第七名则是GlobalFoundries，产能为76.2万片。

　　产能TOP5的公司都是经过多年投资的大厂，而武汉存储器基地建成之时的20万片晶圆产能算不上，但2030的100万片晶圆产能就不可小觑了，差不多能达到SK Hynix与GlobalFoundries之间的量级了。——用15年后的产能比现在的水平虽然不公平，但别忘了武汉的晶圆厂只是中国发展半导体产业的一部分，其他城市还有更多类似项目，总体发展速度远远超过国际公司，后者新建晶圆厂的动机并不高。

　　此外，武汉基地的晶圆厂瞄准的是整个存储器产业，第一阶段的晶圆厂会主攻NAND闪存，而且是3D NAND闪存，第二家工厂则是针对DRAM内存芯片，第三个阶段的工厂要为供应商服务。

　　国内投资建设的项目从来不缺资金，发展目标同样也非常远大，100万片晶圆产能依然是个开始，这个项目的目标是做全球行业龙头。中国大基金总经理丁文武在采访中也表示大基金的投资方面就是做行业龙头，不做一般的风险投资、天使投资。

　　不过在巨额资金及雄心壮志背后，武汉基地的存储芯片技术水平依然是个迷，虽然直接切入新一代的3D NAND闪存，但今年国际主流的3D堆栈层数已经达到了32-48层，新芯科技与飞索半导体研发的3D NAND据说只有8层堆栈，建成工厂还需三年左右时间，届时技术差距又该如何缩小呢？