4大DRAM阵营竞争激烈 美光、尔必达提前导入40纳米

2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示，表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术，并非是制程微缩下的产物，因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后，年底4大阵营技术实力大幅缩小，竞争更激烈。

虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代，其中三星是46纳米制程，海力士转进44纳米制程，但存储器业者透露，两大厂转换的速度是雷声大雨点小，传出良率不如预期，因此量产的时间点延后，也凸显40纳米世代的困难度，连老大哥都有不少难题要克服，因此2010年DRAM产业号称要以制程演进增加产出，恐怕位元成长率会不如预期。

值得注意的是，这次的40纳米世代大战，尔必达和美光都不会缺席，且在转换的时间点上相当接近。继尔必达和盟友力晶、瑞晶表示2010年要跳过50纳米制程，直接转45纳米制程后，美光阵营的华亚科和南亚科也宣布42纳米制程提前1季投产，将在年中转进42纳米制程。

华亚科总经理高启全表示，由于50纳米制程阶段，3家公司就已经开始用Immersion机台，因此转进42纳米制程的资金花费相对较少，且技术门槛相对较低，华亚科的计画是2010年中42纳米制程试产，年底通过认证，2011年42纳米制程进入大量，而下半年将会有50纳米制程打前锋。

华亚科也强调，美光的50纳米制程是正统且完整个1个世代技术，并非制程微缩下的产物，因此对成本结构相当有信心，预计3月开始大量投50纳米，预计10月旗下13万片产能可全数转换到50纳米制程，届时全数产出为2Gb DDR3产品。

尔必达的42纳米制程在2009年底宣布量产，瑞晶将在2010年第2季导入，力晶也表示，日前已和尔必达、瑞晶共同采购Immersion机台，为转进42纳米制程做暖身。

DRAM业者表示，尔必达2010年省略50纳米，直接跳到45纳米世代，技术层次上算相当厉害，但短期要面临两个问题，第1是现有的65纳米技术不能做2Gb的 DDR3，第2是跳跃世代的技术导入，过去DRAM厂从未有此经验，因此良率和技术是否能顺利衔接，同业都相当好奇。

DRAM业者指出，随著尔必达和美光在40纳米世代上赶上进度，与三星和海力士的距离更加缩小，年底4大DRAM阵营可望回到同1个竞争起点，其中美光打著正统50、40纳米旗子，遇上尔必达这个擅长制程微缩的大军，两阵营厮杀会更加激烈。