国家存储器基地动土 要建3座全球最大3D NAND厂

倾大陆国家之力的中国长江存储存储器基地正式于2016年12月30日开工，而此项目前身为武汉新芯存储器基地，在历经中国紫光与武汉新芯合体后，重新找地建新厂，强调要打造全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash新厂。

紫光集团于2016年12月30日在大陆武汉东湖高新区举移动土典礼，宣布中国国家存储器基地正式开工，该建设项目联合紫光集团、国家集成电路产业地方基金(大基金)、湖北省地方基金、湖北省科投等共同出资，项目总投资金额达240亿美元。

紫光集团暨长江存储董事长赵伟国赵伟国典礼中强调，国家存储器基地正式动土开工不仅仅是一个项目的开工，更代表大陆存储器芯片规模化发展的突破，而存储器基地也是中国积体电路产业单向投资最大的项目。

存储器基地位于武汉东湖高新区“武汉未来科技城”，据悉，此项目前身为2016年5月才动土的武汉新芯存储器基地，而在7月武汉全城淹水后，中国紫光与武汉新芯合组长江存储公司，高层在重新视察后，南移至同位于武汉东湖高新区的豹澥地段。

该地占地1,968公亩(约595万坪)，官方宣布将建设全球单座洁净室面积最大的3DNANDFlash厂房3座，以及1座总部大楼和落干配套建筑，核心厂房与设备每平方公尺投资将超过3万美元，同样预期于2018年完成建厂投产，2020年完成整个项目，总产能同先前目标，将达到一个月30万片，官方预估年产值逾100亿美元。

业界人士指出，虽然紫光集团强调技术自主研发，但近期已积极对台展开大规模挖角移动，值得有关单位和企业密切注意。