为了应对存储器竞争，我国选择这样做！

关于存储器我相信各位小伙伴们对它应该不生疏，毕竟从大家刚开始触碰智能手机至今大家就一直在用它，如今大家的手机上储存空间越来越大，性能也越变越好这必须得益于我国在芯片领域的发展及在存储器上的科学研究。说到存储器，最值得一提的是我国的国家存储器基地这一大工程项目的建设。

据统计，我国国家存储器基地这一新项目一共有两期工程项目，一期工程项目已经建设结束了，接着便是二期工程的建设，二期工程在今年的6月中旬也开始建设了，其中二期工程一期工程项目都有一个特性那便是建设地址都位于湖北省武汉市，只不过二期工程的详细地址是武汉市东湖高新区。

这是一个总投资约1700亿人民币的国家存储器基地二期，总算开始建设了，这一个中国研发生产制造3D NAND闪存芯片的重点项目二期工程建设完成之后总体目标是完成每个月30万片芯片的生产量。

我国在处理芯片领域的发展趋势原本就并不是特别好，芯片的相关领域毫无疑问也会受到影响如同存储器，如今韩国三星、海力士和美国美光、西部数据四家企业基本掌握了存储器市场的主导权，我国假如要在处理芯片及存储器上获得提升，那么我国就需要做出相关的行为。

因此我国决定建立国家存储器基地，我国在这一领域能够说是从无到有，不断的摸索，仅仅两年多一点的时间就可以完成128层的堆栈闪存芯片，这真的是中国速度，从无到有的中国速度。

这还要从2017年11月开始说起，那时候我国科学家们在攻克32层三D NAND闪存芯片，今年4月长江存储又直接从96层宣布攻克128层堆栈闪存芯片，我国获得存储器的这些突破仅仅只用了4年的时间，从什么都没有到一流水准。

尽管说国家存储器基地二期工程要投入超过1700亿人民币的建设，可是将来对于大家甚至是整个国家的作用都是非常大的，谁也说不准将来别的国家是否可以保持住第一的位置，因此我国只要继续在存储器领域进行科学研究，那么将来就一定可以获得提升。