应用材料公司推出突破性的共形等离子掺杂系统用于3D晶体管制造

摘要：  独特的等离子掺杂解决方案，针对22纳米及更小技术节点的逻辑和存储芯片；取代离子注入共形掺杂技术，用于复杂3D结构的制造；创新系统为应用材料公司打开新的市场

关键字：  应用材料公司，  AppliedCentura® Conforma™，  CPD™，  3D晶体管

近日，应用材料公司推出了新的Applied Centura® Conforma™ 系统。该系统采用了突破性的共形等离子掺杂技术(CPD™)，为新一代逻辑和存储芯片中先进3D晶体管的制造提供了解决方案。Conforma系统的独特之处在于将高剂量、低能量掺杂技术与原位清洁功能组合在单一反应腔内，使平面和三维结构的掺杂都能保持均匀度和高产量。对于卓越的器件性能同样至关重要的是，这套系统采用无添加剂的纯粹化学掺杂过程，从而能够保护下部器件的结构，这是任何其它等离子掺杂系统都不具备的关键特点。

应用材料公司副总裁兼前端产品事业部总经理Sundar Ramamurthy表示：“我们的等离子掺杂技术充分利用了应用材料公司在射频工程和化学气相沉积(CVD)反应腔设计领域的专业技术，以及丰富的工艺知识。我们的Conforma技术已深受许多客户的青睐，他们在实验线和量产线上都在使用这套系统。与此同时我们还利用自己的专利技术与客户和科研机构共同开展前瞻性的研发项目。”

掺杂是一项基本的芯片制造工艺，通过将杂质掺入材料的晶格结构，改变其电性能。此项工艺的传统做法是利用高速运动的掺杂离子束轰击晶圆。然而，这种直线轰击过程无法实现高级三维结构上的均匀掺杂。更重要的是，高速运动的离子还有可能会破坏尖端芯片的超薄半导体层。

应用材料公司的Conforma技术通过提供一种温和而低能量的工艺，解决了这些技术难题，能够实现在复杂的三维芯片结构上实现均匀的共形掺杂。Centura Conforma是唯一能在同一真空平台上组合集成式等离子预清洁和快速热处理(RTP)退火功能的等离子掺杂系统。它能够实现一体化的工艺步骤，并确保处理后的晶圆不含可能有害的残留物。

采用新Conforma系统制造的一些先进器件，包括finFET逻辑、垂直栅极DRAM，以及垂直NAND快闪记忆阵列。