好消息！陛通半导体实现我国高性能PECVD设备研发历史突破！

据上海陛通半导体能源科技股份有限公司（简称：陛通半导体）官方消息，10月15日由陛通半导体研发制造的首台12英寸(300mm) 高性能PECVD化学气相薄膜沉积设备顺利出机正式交付国内某大型集成电路知名企业！

这是陛通半导体在解决我国集成电路关键设备“卡脖子”问题中取得的又一重大突破性进展，该设备将直接应用于12英寸高端芯片制造产线中，完全满足28纳米乃至14纳米级薄膜制造工艺需求。

12英寸PECVD化学气相沉积设备是集成电路制造中不可或缺的四大关键装备之一，技术攻关难度大，市场准入门槛高，复杂程度高，长期被国外厂商高度垄断，庞大的国内市场竟然超过90%以上的份额严重依赖进口。

陛通半导体一直以差异化研发国产装备为核心竞争力，采用陛通发明专利，将全球第一个往复式旋转晶圆热盘和其他一系列先进技术应用在PECVD腔体设计中。使得这部高性能PECVD设备在比较国内外现有PECVD设备的工艺先进性方面具有超高的薄膜膜厚均匀性、精准的超薄膜厚控制、较为宽松的工艺调节窗口、较高生产效率和具备7-5纳米以下工艺拓展能力等优点。

上海陛通半导体能源科技股份有限公司于2008年11月在浦东新区张江科学城注册成立。历经13年的艰苦创业和创新发展，在上海市委、市政府及浦东新区人民政府的积极支持和指导帮助下已经成功转型成为一家集研发、生产和销售为一体的12英寸半导体前道工艺薄膜沉积装备企业。

陛通半导体将继续努力研发各种半导体前道工艺薄膜沉积设备，完善产品工艺，大力开展28纳米和14纳米国产集成电路薄膜沉积设备关键核心技术攻关，在集成电路设备整机设计、软硬件开发上精益求精，提高国内市场占有率。