消息：三星宣布14nm EUV DDR5 DRAM量产

图源：三星电子的14nm EUV DDR5 DRAM

继去年3月推出首款EUV DRAM后，三星又在 14 纳米 DRAM 中添加五个 EUV 层，实现了超高的比特密度，同时将整体晶圆的生产率提高了约 20%。

根据最新 DDR5 的标准，三星的 14 纳米 DRAM 可带来7.2Gbps的超高速，是前代 DDR4 的 3.2Gbps 最高速度的两倍多。