官宣！三星首批3nm芯片2022年见

在近日举办的“Samsung Foundry Forum 2021”论坛活动上，三星宣布推出了全新的17nm工艺，并宣布将于2022年上半年量产3nm制程，更先进的2nm制程将于2025年量产。

图源：三星电子

三星晶圆代工部门总裁Choi Si young在谈及三星芯片生产的未来，以及全球芯片短缺对其代工业务的未来时表示，尽管全球零部件短缺，三星仍希望保持竞争力。Si young强调，三星将＂引领最先进的技术，同时进一步扩大硅规模＂。

即使面临全球芯片短缺局面下，三星依然预计＂很少有公司能够在这一新的工艺规模前沿领域展开竞争。＂

全新17nm亮相OFweek

本次论坛上，三星宣布推出全新的17LPV工艺，即Low Power Value的17nm工艺。

资料显示，17LPV工艺是28nm工艺的演进版，其融合了28nm BEOL后端工序、14nm FEOL前端工序，也就是在28nm节点的基础上，加入了14nm FinFET立体晶体管，只需不高的成本，就能享受后者的能效优势。

据三星方面介绍，17LPV工艺相比传统28nm，芯片面积可缩小43％，可以带来39％的性能提升或者49％的功耗降低。17nm LPV工艺的量产时间虽然没有透露，单三星已经宣布第一个服务对象是ISP图像信号处理器，属于三星自家的CMOS传感器产品线。此外，三星还打造了14nm LPU工艺，即Low Power Ultimate，但并未透露详情，可能也是28nm BEOL加上14nm FEOL。

2022年上半年生产首批3nm芯片OFweek

值得一提的是，三星还在本次论坛上宣布，预计在在2022年上半年开始生产客户的第一批3nm芯片，第二代3nm芯片预计将于2023年开始生产。

由于FinFET晶体管结构潜力几乎已经被挖掘殆尽，三星的下一步技术是采用GAA环绕栅极，在3nm工艺上分为两个版本，其中3GAE（低功耗版）将在2022年年初投入量产，3GAP（高性能版）则会在2023年年初批量生产。

对比5nm，三星新的3nm GAA可以让面积缩小35％，同功耗下性能提高30％，同性能下功耗降低50％。由于采用了3nm全栅（GAA）节点，这些新芯片的性能将提高30％，功耗将减半。同时该芯片占用的空间比5nm的同类芯片少35％。

在应对3nm芯片的量产上，三星表示位于韩国平泰的工厂将生产3nm芯片，目前正在扩建以支持更高的容量。还有一家铸造厂计划在美国建造，不过有关其位置的细节尚不清楚。

2nm芯片2025年量产OFweek

三星还在本次论坛上透露，2nm工艺的芯片还处于开发的早期阶段。这些将使用砷化镓和多桥沟道场效应晶体管技术，这也正在开发中。

对于2nm芯片的时间节点，三星表示计划在2025年开始大规模生产2nm工艺的芯片，并于2026年开始有大量基于三星2nm的产品上市。

另一方面，三星之所以能在2nm节点上领先的另外一个原因也是GAA技术可以复用在2nm技术当中，这得以让三星后续的2nm技术研发能够事半功倍。

三星表示，其2nm制程技术将使芯片性能、能效进一步提升，继续推进电子产品的小型化。

根据最新统计数据显示，三星电子第三季度销售额73万亿韩元，市场预估73.47万亿韩元；第三季度营业利润15.8万亿韩元，市场预估15.75万亿韩元。三星表示，业绩提升得益于芯片价格上涨及其折叠屏智能手机的强劲需求。三星将于10月28日发布正式财报时提供净利润和部门细分数据。