降低车载设备功耗，XPN7R104NC是专业的

随着全球新能源汽车的蓬勃发展，越来越多的家庭在购车时选择电动汽车作为家用车，而在选购时，通常将汽车的续航作为一个重要参考指标。如何提高电动汽车的续航呢？一方面可以通过增加电池的总容量，另一方面，通过降低车载设备的功耗。为此，东芝推出了有助于降低车载设备功耗的小型表面贴装的40V N沟道功率MOSFET：XPN7R104NC，让我们一起来看看它到底是一颗怎样的器件呢？

XPN7R104NC是东芝为减小车载设备功耗而推出的一款小型贴片封装的全新N沟道功率MOSFET，其采用带有可焊锡侧翼引脚结构的TSON Advance(WF)封装技术，便于对电路板安装条件进行自动目视检查。此外，采用“U-MOSVIII-H”工艺的低导通电阻设计有助于设备降低设备功耗，达到节能的效果。同时他能够代替具有相同封装尺寸的传统东芝产品，在性能改进的基础上，还有利于通过更换类似的5mm×6mm尺寸产品，以促进ECU的小型化。

XPN7R104NC的特性如下：

• 低漏极-源极导通电阻：栅极-源极电压VGS＝10V时，RDS(ON)＝7.1mΩ（最大值）；

• 低漏电流：漏极-源极电压VDS＝40V时，IDSS＝10µA（最大值）；

• 增强型MOS：栅极阈值电压Vth＝1.5V至2.5V（VDS＝0V，ID＝0.2mA）；

• 通过AEC-Q101认证。

XPN7R104NC是东芝XRN系列小型表面贴装N沟道功率MOSFET的一员，其内部结构原理如下图所示：

从器件内部结构图可以看出，单片XPN7R104NC芯片中，仅有一个N-MOS结构，其1／2／3pin为源极（Source），4pin为栅极（Gate），5／6／7／8pin均为漏极（Drain），在使用时需要特别注意。同时东芝官方给出了应用电路示例，方便工程师在设计电路时进行参考。

XPN7R104NC作为东芝新推出的MOSFET器件，其拥有多项新特性，如新型的TSON Advance(WF)封装，新型的“U-MOSVIII-H”工艺，这些都为XPN7R104NC带来更加优异的性能表现，使得这款功率MOSFET能够在车载设备、开关稳压器、DC-DC转换器以及电机驱动电路中发挥其应用价值。

东芝作为世界级的半导体设计公司，凭借其丰富的产品设计经验及技术创新能力，不仅使设计的功率驱动器件满足性能需求，同时也能兼顾环保及降低设备功耗，而这也契合未来电子产品及工业设备设计的需要，相信这些特点能够让东芝的器件大放异彩。