近日，鸿海宣布买下旺宏6吋厂，预计将这座厂，从逻辑电路代工，转为生产第三代半导体材料中的碳化硅（SiC）组件，这座基地将成为鸿海负责半导体业务的S事业群新竹总部。
大厂共同创新技术
早在6月30日，鸿海昔日的死对头比亚迪公告将分拆旗下比亚迪半导体，在深圳交易所创业板挂牌上市。将以现有6吋硅基晶圆制造经验，在宁波进行SiC功率器件晶圆制造产线建设，预计花7.3亿元人民币兴建碳化硅晶圆生产线，月产能2万片，与旺宏6吋厂规模相近。而同时，8月11日意法半导体（STMicroelectronics）宣布，瑞典Norrkoping工厂制造出首批8吋SiC晶圆，由6吋升级到8吋，代表意法半导体对汽车和工业客户的扩产计划获得阶段性成功，且提升功率电子芯片轻量化和效能，并降低产品成本。相较于6吋晶圆，8吋晶圆更可以增加产能，将制造集成电路可用面积扩大近1倍，合格芯片产能则为6吋晶圆的1.8～1.9倍。9月9日国际半导体产业协会（SEMI）与鸿海研究院共同举办「NExT Forum」活动，以「Compound Semiconductor in E-Vehicle」为题，同时邀请英飞凌、意法半导体、台积电、稳懋等大厂，共同剖析化合物、车用半导体的创新应用与技术发展。中国大陆将第三代半导体材料自主化，列为十四五规划重大投资项目，氮化镓（GaN）及SiC已成中国半导体新显学。士兰微电子、聚能晶源、聚能创芯、三安光电、海威华芯、华润微电子等当地半导体业者，已全力展开GaN及SiC晶圆片或代工业务，下半年进入量产。9月3日，联电与颀邦换股，由联电子公司宏诚创投取得颀邦9.09%股权，跃居第1大股东。颀邦董事长吴非艰表示，与联电换股合作锁定AMOLED面板驱动IC和第三代半导体，颀邦已布局GaN和SiC等晶圆级芯片尺寸封装（WLCSP）。联电6吋晶圆厂布局第三代半导体，预期双方合作效益会很快浮现。里昂开启研究之门
在2018年3月，里昂由侯明孝与日本分析师Claudio Aritomi，出了一本厚达128页有关宽带隙（Wide bandgap）报告，以「功率跃进」（POWER LEAP）为标题，预期此类产品未来将取代MOSFET、IGBT成为下一个10亿美元产业，2025年可能占功率半导体市场2成以上，此报告认为台积电、世界与汉磊将成主要受益公司。
