车规级eGaN FET增强激光雷达“视觉性能”

据麦姆斯咨询报道，增强模式氮化镓（GaN）功率管理器件领导厂商宜普（EPC）近日宣布为汽车行业和其他恶劣环境激光雷达（LiDAR）系统设计的新款80V EPC2214获得了美国汽车电子协会AEC Q101认证。

EPC率先推出了增强模式硅基氮化镓（eGaN）FET，可替代众多应用中的功率MOSFET，如 DC-DC转换器、无线功率传输、包络跟踪、射频传输、功率逆变器、LiDAR以及D类音频放大器等，其性能高于最好的硅功率MOSFET数倍。

eGaN技术已经大规模量产超过9年，在多个领域积累了数十亿小时的实际应用经验，例如：汽车应用的LiDAR和自动驾驶汽车雷达，数据中心计算机应用的48V-12V DC-DC转换器，超高保真信息娱乐系统和卡车用高强度前照灯等。EPC推出的这款新器件已经完成了严格的汽车AEC Q101认证测试，还将推出几款专为恶劣汽车应用环境设计的分立晶体管和集成电路。

EPC2214是一款80V、20 mΩ、eGaN FET，具有47A的脉冲电流，占位面积仅为1.8平方毫米，非常适合用于LiDAR系统中的激光器，因为eGaN FET可以触发以产生极短脉冲宽度的高电流。短脉冲宽度可以实现更高的分辨率，而更高的脉冲电流可使LiDAR探测并识别更远距离的物体。凭借这两种特性，以及小尺寸和低成本优势，使eGaN FET成为高要求汽车应用LiDAR以及雷达、超声波传感器的理想选择。

为了完成AEC Q101测试，EPC的eGaN FET经受了严格的环境和偏压应力测试，包括偏压湿度测试（H3TRB）、高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）、温度循环（TC）以及其他几项测试。值得注意的是，EPC的晶圆级芯片（WLCS）封装通过了针对传统封装器件创建的所有相同测试标准，证明了芯片级封装的卓越性能不会影响器件的坚固性或可靠性。这些eGaN器件由经过汽车质量管理体系标准IATF 16949认证的工厂生产。

EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow指出：“这种新型汽车产品是EPC晶体管和集成电路的最新产品，旨在实现自动驾驶并提高燃油经济性和安全性。我们的eGaN技术比当今车辆中使用的老旧硅功率MOSFET更快、更小、更高效、更经济、更可靠。”