我首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功

　　据专家介绍，相比于传统存储器利用电荷形式进行存储，相变存储器主要利用可逆相变材料晶态和非晶态的导电性差异实现存储，被称为是“操纵原子排列而实现存储”的新型存储器。

　　中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员、PCRAM研究项目负责人宋志棠表示，PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低等诸多优势，被认为是下一代非挥发存储技术的最佳解决方案之一。

　　目前，英特尔、美光、三星等国际知名半导体公司均在PCRAM产业化进程中取得有效进展，其中美光有多款替代NOR FLASH的产品，三星已研制出最大容量为512Mb的PCRAM试验芯片，并投入量产，在手机存储卡中开始应用。

　　上海微系统与信息技术研究所已制成的PCRAM试验芯片存储容量为8Mb，在8英寸硅片上的每一块存储芯片，存储单元成品率达99％以上。经语音演示，已证实该芯片可实现读、写、擦的存储器全部功能。截至2010年底，该款PCRAM相变存储器已经获得50多项发明专利授权，150多项专利公开，相关专利分布涵盖从材料、结构工艺、设计到测试的芯片生产全部流程。专家表示，此款PCRAM芯片将可取代NOR FLASH等传统存储器，广泛应用于手机存储、射频识别等多种消费型电子产品中。

　　宋志棠介绍说，我国半导体存储器市场规模目前已接近1800亿元，但由于长期缺乏具有自主知识产权的制造技术，国内存储器生产成本极为高昂。“PCRAM相变存储器自主研制成功，使我国的存储器芯片生产真正摆脱国外的技术垄断。”他表示，该款PCRAM相变存储器预计将于今年年内投入量产，“我们计划在10年内，将中国的存储器自给率提高到60％。”