速度提升12倍！日本SiC技术又开挂了？

据日本科技媒体报道，AIST开发了一项高速SiC晶片抛光技术，可以将速度提升12倍，大幅降低成本，该技术即将导入6英寸SiC晶圆的集成加工工艺中：

▲速度更快：传统转速50 rpm，新技术达到700rpm。

▲多片抛光：传统方式只能单片研磨，新技术可以同时多片加工。

▲节省材料：不需要研磨液，只需要水。

速度提升12倍！

高速SiC晶片抛光成本更低

图：高速抛光的6英寸碳化硅晶片外观。

AIST是如何做到的呢？

由于SiC晶片是一种高刚性且脆性的材料，为此迄今为止，即使采用金刚石研磨液进行抛光也无法提高研磨速度，因为研磨液会产生摩擦热。目前，主要是通过研磨进行单晶片加工，直至实现镜面加工（表面粗糙度Ra≈1 nm），但生产效率不高。

为了加快抛光过程，AIST联合瑞穗和富士越机械工业开发了新的SiC晶片抛光技术，该技术采用了2种设备：瑞穗将金刚石磨石成型为平台，制成了固定磨粒平台；同时结合了富士越制造的高速高压研磨装置。

图：瑞穗的固定磨粒平台和富士越的高速高压抛光装置。

结果证实，当使用固定磨粒平台时，即使在700rpm时平台旋转速度也与抛光速度成正比。而且，新技术的抛光速度比使用研磨液（负载200 g/cm2，转速50 rpm）的典型加工条件快约 12倍。

同时，采用新技术，抛光后的SiC晶片Ra约为0.5 nm，实现了与传统镜面研磨工艺相同的表面质量。而传统金属平台和浆料加工，平台转速超过200rpm时抛光质量就达到极限。

而且，与使用浆料的抛光技术不同，这种高速抛光技术只使用水作为处理液，所以环境负荷极小。它的另一个优点是可以在控制供水量和冷却平台的同时，确保抛光效率。

此外，由于该技术是通过加工压力和平台的转数来控制加工速度，因此可以同时加工多个 SiC晶片。结果，可以同时实现高速处理和成本降低。