单片机外部接口分析与存储器扩展

    1 TMS320F2812外部接口的特点

    TMS320F2812外部接口(XINTF)采用异步非复用模式总线，与C240x外部接口类似，但也作了改进：

    ① TMS320LF240x系列，程序空间、数据空间和I／O空间都映射在相同的地址(0000～FFFF)，最大可寻址192 KB，对它们的访问是通过不同的指令来区分的，例如可用IN或OUT指令访问外部I／O空间；而在TMS320F2812中，外部接口被映射到5个独立的存储空间XZCS0、XZCS1、XZCS2、XZCS6、XZCS7，每个存储空间具有独立的地址，最多可寻址4 MB。

    ② TMS320F2812中，有的存储空间共用1个片选信号，如ZONe0和Zone1共用XZCS0AND1，Zone6和Zone7共用XZCS6AND7。各空间均可独立设置读、写信号的建立时间、激活时间及保持时间。

    对任何外部空间读／写操作的时序都可以分成3部分：建立、激活和保持，时序如图1和图2所示。在建立(lead)阶段，访问存储空间的片选信号变为低电平并且地址被送到地址总线(XA)上。默认情况下该阶段的时间设置为最大，为6个XTIMCLK周期。在激活(active)阶段，对外部设备进行读写，相应的读写信号(XRD和XWD)变为低电平，同时数据被送到数据总线(XD)上。默认情况下读写该阶段的时间均设置为14个XTIMCLK周期。跟踪(trail)阶段是指读写信号变为高电平，但片选信号仍保持低电平的一段时间周期，默认情况下该阶段时间设置为6个XTIMCLK周期。因此，在编程时要根据外部设备的接口时序来设置XINTF的时序，从而正确地对外设读写。

    2 扩展存储器硬件设计

    2.1 外部存储器与TMS320F2812的接口电路设计

    TMS320F2812内置18 KB RAM。为了使用方便，本系统又扩展了256 KB SARAM，芯片选用IS61LV25616(256K×16位)，其数据访问时间为10 ns。由于TMS320F2812采用统一寻址方式，因此扩展的SARAM既可以作程序存储器也可以作数据存储器。同时，为了保存掉电不丢失的数据，扩展了32 KBEEPROM，选用AT28LV256，32K×8位，用2片组成32K×16位。外扩存储器与TMS320F2812的接口电路如图3所示，将SARAM分配在ZONE2，地址范围为0x80000～0xBFFFF，片选信号与TMS320F2812的XZCS2相连。EEPROM分配在ZONE6，地址范围为0x10000～0x107FFF，片选信号XZCS6AND7。