超51.9亿！ST与CREE扩大SiC长期供应协议

今日，据科锐（Cree）官方消息，公司与意法半导体（ST）宣布扩大现有的多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。

科锐将在未来数年向意法半导体供应 150mm SiC 裸晶圆和外延片，协议总金额将扩大至超过 8 亿美元（约合人民币51.95亿元）。

推动产业转型，SiC势不可挡！

汽车产业正在从内燃机汽车向电动汽车转型， SiC 基功率半导体解决方案的采用正在汽车市场快速增长。SiC 解决方案为电动汽车带来更高系统效率，进而实现更长距离的续航里程、更快速的充电，同时降低成本、减轻重量、节约空间。

在工业市场，SiC 解决方案赋能实现更小型、更轻量、更具成本效益的设计，更有效率地转换能量，从而开启清洁能源新应用。

此次协议更新后，科锐将在未来数年向意法半导体供应 150mm SiC 裸晶圆和外延片。

对此，意法半导体总裁兼首席执行官 Jean-Marc Chery 表示，一大批汽车和工业客户的项目有大量的需求或者正在起量，此次扩大协议将帮助满足未来数年意法半导体产品制造所需要的高体量。

科锐首席执行官 Gregg Lowe 表示，科锐与器件供应商们达成的长期晶圆供应协议的最新总额已经超过 13 亿美元（约合人民币84.41亿元），这将有力支持推进从 Si 向 SiC 的产业转型。

科锐表示，有望于2022年初让全球最大SiC（碳化硅）晶圆厂上线，进而享有未来数十年的成长机会。

ST首批8英寸SiC晶圆问世

值得注意的是，近日，意法半导体位于瑞典的 Norrköping 工厂已制造出首批 8英寸碳化硅 (SiC) 晶圆。预计将用于生产下一代功率半导体，且此次将尺寸升级到 8 英寸，也象征意法针对汽车与工业客户的扩产计划，获得重要阶段性成就。

意法半导体指出，此次量产 8 英寸 SiC 晶圆，将巩固公司在此技术领域的领导地位，也提升功率半导体的轻量化与效能，并降低客户使用 SiC 产品的成本。

意法半导体表示，首批 8英寸 SiC 晶圆质量优良，此外，意法半导体除了 SiC 晶圆可满足严格质量标准外，升级至 8 英寸晶圆也需要制造设备和支持生态系统同时升级，正与供应链上下游厂商合作研发专属的制造设备和生产制程。

意法半导体补充称，碳化硅 STPOWER SiC 目前由意大利卡塔尼亚和新加坡宏茂桥两家 6 英寸晶圆厂完成前段制程制造，后段制程制造则在中国深圳和摩洛哥布斯库拉的两家封测厂进行。

意法半导体强调，此次阶段性的成功只是 8英寸 SiC 量产计划的一部分，目前也正积极新建碳化硅基板厂，预计2024年内部采购碳化硅基板比重将超过 40%。

意法半导体汽车和离散组件产品部总裁 Marco Monti 表示，汽车和工业市场正加速推动系统和产品电气化的进程，升级至 8 英寸SiC 晶圆将为汽车和工业客户带来巨大优势，因此扩大产能、提升规模经济效益至关重要，也能更有效控制晶圆良率和改善质量。