N-Channel MOSFET 失效分析

来源:电子元件技术网发布时间:2019-11-21711浏览

1 失效背景

客户反馈其生产的某批次产品出现不能正常开机的现象，对失效产品局部加热后，产品又能恢复正常工作。

2 分析过程简述

1）电性能测试

对电路进行排查，结果显示失效样品的器件Q2引脚信号出现异常，该器件为N-Channel MOSFET，具体表现为：NG样品Q2的D极电位正常，但是对G极的反馈信号无动作。Q2不能正常工作致使电源电路的DC3.3V输出下降，该输出达不到设计要求，将会直接导致系统出现不能正常开机。

图1 正常样品与失效样品Q2 pin脚信号对比

2）外观检查和X-Ray透视

对样品进行外观检查和X-Ray透视对比，未发现任何异常。

3）动态性能测试

测试结果显示：VDS固定，当器件在VGS作用下，DS之间沟道打开，随着VGS增大，ID也会随之增大，NG样品在DS之间沟道打开后，出现ID突然下降至0的情况，对其进行加热，该功能性测试即可恢复正常，静置一段时间后，失效现象又会复现。出现上述现象的可能原因包括：a）Q2器件G与S之间存在漏电，导致加载在G端电压下降至不足以开启D与S之间的导电沟道；b）Q2器件D与S或者G与S之间存在开路。