近日，存储大厂SK 海力士（SK hynix）宣布，为应对市场需求回升，该公司将扩充产能规模，其新建的位于首尔南部利川市（Icheon）的M16 产线预计今年6月启动量产，以进一步扩大DRAM供应。
据韩联社报导，SK 海力士的M16 厂计划2月1 日举行竣工仪式。SK 海力士于会议上透露，利川M16 厂将从今年开始进行试产，并视情况调整，预计6 月就能完成试产，接着正式展开大规模量产。
资料显示，2018年12月，SK海力士开始动工兴建M16晶圆厂，斥资高达15兆韩圜（约134亿美元），将采用极紫外光（EUV）光刻技术，生产第四代10nm级制程（ 1a奈米）的DRAM产品。
SK 海力士称，已确保EUV 的供应无虞，并正在与EUV 制造商就EUV 设备的长期供应进行密切讨论。根据规划，M16 厂的EUV 设备初期将用于生产第四代10 奈米级DRAM，之后全面用于生产第五代10nm级（1b 奈米）DRAM。
截至2020 年，以第三代10nm级（1z nm）和第二代10nm级（1y nm）制程打造的DRAM，约占SK 海力士DRAM 总产量的40%，计划今年将比率提升到至少75%，同时启动1a nm制程，产能将比1z nm制程高出40%。
SK 海力士会议时表示，2020 年资本支出为9.9 兆韩圜，低于2019 年的12.7 兆韩圜。SK 海力士未提到今年的资本支出目标，但表示跟去年相比，设备资本支出的增幅预料有限。
根据南韩产业通商资源部（Ministry of Trade, Industry and Energy）及南韩半导体业协会（Korea Semiconductor Industry Association）的报告，2021 年南韩晶片出口额预计将年增10.2%，达到1,093 亿美元，有望创历年来次佳表现，仅次2018 年的1,267 亿美元。
当地研究机构预测，2021 年南韩的记忆体晶片出口额可望年增约12%，突破700 亿美元大关，而系统晶片出口额将年增7%，达到310 亿美元以上。
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