环球晶携手国立交大，开发碳化硅等半导体材料技术

　　交大代理校长陈信宏表示，SiC和氮化镓（GaN）是非常具有发展前景的半导体材料，在5G、电动汽车等应用上，是相当重要的成功关键。

 

　　陈信宏指出，交大结合多所学校相关研究的教授群，以化合物半导体材料研究和人才培育计划为主轴，与环球晶共同合作加速开发SiC和GaN，创建产学互馈循环机制，并培育国际级研发团队，以便提升台湾半导体产业在全球的竞争实力。

 

　　环球晶表示，在SiC和GaN领域已深耕多年，并开发多项专利，具有完整的生产线，这次与交大合作，希望结合各自的专业领域与技术优势加速发展，创造运营增长新契机。