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半导体是半导体集成电路或计算机芯片的缩写。半导体有数十亿个元件（晶体管、电阻器、电容器、二极管），所有这些元件构成电路。这些元件排列在由硅制成的芯片上，硅是一种半导体材料，可以通电和断电。近年来，半

来源：滤波器　2024-06-03

CoWoS升级迭代，中介层面积增加、HBM容量提升。作为高端的系统封装解决方案，CoWoS通过在紧凑的平面并排集成多个芯片，与传统的多芯片模块（MCM）相比提供了更高的集成度，目前已广泛用于制造高性

来源：滤波器　2024-06-03

台积电的N3X、N2P、A16工艺节点将于2025、2026年推出正如台积电上周宣布的，该公司将于今年晚些时候开始采用 N3P 制造工艺进行大批量生产，这将是该公司一段时间内最先进的节点。明年事情会

来源：滤波器　2024-06-03

光刻胶被大量使用于晶圆生产之前必须通过Fab的评估。光刻胶的评估一般分为几个部分：首先，判断这一材料是否符合Fab的基本要求，包括供应的稳定性、质量控制的可靠性等。其次，是材料的工艺参数和基本性质，

来源：滤波器　2024-06-03

电子集成技术分为三个层次，芯片上的集成，封装内的集成，PCB板级集成，其代表技术分别为SoC，SiP和PCB（也可以称为SoP或者SoB）芯片上的集成主要以2D为主，晶体管以平铺的形式集成于晶圆平面

来源：滤波器　2024-06-03

上一篇中提到：相移掩模、光学邻近效应校正、离轴照明等方法能弥补光学曝光的不足，但人们也在寻找新的曝光方法来完成纳米级的集成电路制造。本文详细介绍其中的电子束曝光、X射线曝光、离子束曝光分别的原理

来源：滤波器　2024-06-03

从光学光刻的原理可知，减小光源波长可以提高分辨率。所以光学光刻经历了从436nm到365nm、248nm，再到193nm的过程，那么极紫外光刻系统为什么会选择13.5nm？极紫外光刻系统为什么会选

来源：滤波器　2024-06-03

划片工艺流程晶圆经过前道工序后芯片制备完成，还需要经过切割使晶圆上的芯片分离下来，最后进行封装。不同厚度晶圆选择的晶圆切割工艺也不同：厚度100um以上的晶圆一般使用刀片切割；厚度不到100um的晶

来源：滤波器　2024-06-03

概述：CP是把坏的Die挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道Wafer 的良率。FT是把坏的chip挑出来，检验封装的良率。现在对于一般的wafer工艺，很多公司多把CP给省了，目的是

来源：滤波器　2024-06-03

前几篇讲了光刻的过程，光刻是将图形转移到覆盖在半导体晶圆表面的光刻胶上的过程。为了电路生产，这些图形必须再转移到光刻胶下面组成器件的各薄层(如SiO2、Si3N4、沉积的金属层)上。这种图形的

来源：滤波器　2024-06-03