英诺赛科（Innoscience）近日推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，专为优化40V至120V双向VGaN™的栅极驱动设计。该芯片简化了电池管理系统（BMS）中的低边电池保护设计，同时取代了传统笨重且复杂的背靠背Si MOSFET方案，显著提升了系统性能。

INS1011SD具备多项卓越性能。其典型静态电流仅为8uA，极大延长了电池待机时间；高速开通和关断能力可快速响应故障保护需求；强驱动力支持多颗VGaN™并联，满足大电流应用场景。此外，芯片兼容主流AFE和MCU控制逻辑，VCC电压范围宽达8V-90V，且关键引脚耐压高，采用标准SOP-8封装，便于使用和贴装。

英诺赛科的双向VGaN™技术为新型双向电力电子系统提供了高可靠性、高性能和高性价比的解决方案。与传统Si MOSFET相比，VGaN™显著降低了功率损耗，提高了开关速度，并缩小了电源系统尺寸，降低了BOM成本。

INS1011SD与VGaN™的结合为BMS系统带来了革命性变化。该组合以更小的体积和重量、更低的成本，以及更高的效率，替代了传统的多颗背靠背Si MOSFET及其驱动方案。同时，其兼容性设计便于工程师将其集成到现有BMS架构中，进一步提升了易用性。

据英诺赛科介绍，这一解决方案可广泛应用于电池管理系统低边保护、储能电池包、电动交通电池保护、不间断电源、蓄电池保护及电动工具等领域。其小型化、轻量化和高效化的特点为多领域赋能，显著提升了应用价值。