据报道，最新分析显示，Intel 18A工艺的良率已从上一季度的50%提升至55%，表现优于竞争对手三星的2nm工艺（SF2）。目前，三星2nm工艺的良率约为40%，而Intel 18A工艺已实现超越。尽管与台积电N2工艺的65%良率相比仍有差距，但Intel 18A工艺已具备在2025年第四季度实现量产的条件，届时良率有望进一步提升至70%。

这一进展为Intel下一代移动CPU的生产提供了重要支持，同时也为其内部产品开发和未来对外代工服务奠定了基础。据悉，Intel计划在18A工艺取得成功后，逐步过渡到14A工艺，以增强其在高端芯片市场的竞争力。

Intel 18A工艺的提升不仅推动了即将推出的Panther Lake系列产品的开发，也为公司未来在先进制程领域的布局创造了更多可能性。虽然Intel的良率预计难以超越台积电，但这一工艺已足够满足其战略需求。